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龙图腾网获悉日立能源有限公司申请的专利反向导通绝缘栅双极晶体管IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118355505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280080556.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权反向导通绝缘栅双极晶体管IGBT是由B·K·波克斯汀;W·A·维塔勒设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本反向导通绝缘栅双极晶体管IGBT在说明书摘要公布了：根据实施例，RC‑IGBT1000包括半导体本体、集电极层和集电极电极，半导体本体具有发射极侧和集电极侧如图4所示，集电极层位于集电极侧并且具有至少一个先导区10和至少一个混合区11，集电极电极在集电极侧上并且与集电极层电接触。先导区10具有第一导电类型。混合区11包括具有第一导电类型的第一子区111和具有第二导电类型的第二子区112。第一子区中的掺杂浓度不同于先导区中的掺杂浓度。集电极区进一步包括环绕先导区10和混合区11的边缘区12。边缘区可以主要具有第一导电类型或具有第二导电类型，并且第一和第二子区111,112可以部分地延伸到边缘区12中。

本发明授权反向导通绝缘栅双极晶体管IGBT在权利要求书中公布了：1.一种反向导通绝缘栅双极晶体管1000，包括： -半导体本体100，所述半导体本体具有发射极侧101和集电极侧102， -集电极层1，所述集电极层位于所述集电极侧102处并且具有至少一个先导区10和至少一个混合区11， -集电极电极2，所述集电极电极在所述集电极侧102上并且与所述集电极层1电接触，其中， -所述先导区10具有第一导电类型， -所述混合区11包括具有所述第一导电类型的第一子区111和具有第二导电类型的第二子区112， -所述先导区10是连续的区，并且所述先导区10在所述集电极侧102的面积大于所述第一子区111和或所述第二子区112中的每一个在所述集电极侧102的面积， -所述第一子区111中的掺杂浓度不同于所述先导区10中的掺杂浓度， -所述集电极层1还包括边缘区12， -所述边缘区12侧向环绕所述先导区10和所述混合区11， -所述边缘区12的大于50%的部分与所述第一子区111具有相同的导电类型，或者 -所述边缘区12的大于50%的部分与所述第二子区112具有相同的导电类型，但是与所述第二子区112具有不同的掺杂浓度， -所述第二子区112延伸到所述边缘区12中，并且所述第一子区111在所述边缘区12之前结束， -所述边缘区12的形成所述边缘区12的子区仅具有一种导电类型，是连续形成的，并且侧向完全环绕所述混合区11和所述先导区10。

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