浙江大华技术股份有限公司郑博达获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大华技术股份有限公司申请的专利一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117800615B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311763776.4，技术领域涉及：C03C17/36；该发明授权一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备是由郑博达;徐琼华;汪聪;陈洁;郜春山;郑东辉;刘丁熙;陈鸿武;邓志吉;王雅莉设计研发完成，并于2023-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备在说明书摘要公布了：本申请公开一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备，该自清洁涂层包括：导电层；胶柱阵列层，设于导电层的至少一侧表面，胶柱阵列层包括多个纳米胶柱，每个纳米胶柱的一端与导电层连接；其中，每个纳米胶柱的侧面设有至少一个电致变形结构件，每个纳米胶柱的至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置。本申请的自清洁涂层通过在基底表面设置导电层，以保证基底表面的导电性，并在导电层的表面设置胶柱阵列层，胶柱阵列层的每个纳米胶柱上设置至少一个电致变形结构件，且至少一个电致变形结构件与导电层间隔设置，以使电致变形结构件在交变电场作用下产生变形，从而使胶柱阵列层进行振动，实现机械主动除尘。
本发明授权一种自清洁涂层、自清洁结构、制作方法、玻璃幕墙及监控设备在权利要求书中公布了：1.一种自清洁涂层，其特征在于，包括： 导电层； 胶柱阵列层，设于所述导电层的至少一侧表面，所述胶柱阵列层包括多个纳米胶柱，每个所述纳米胶柱的一端与所述导电层连接； 其中，每个所述纳米胶柱的侧面设有至少一个电致变形结构件，每个所述纳米胶柱的至少一个所述电致变形结构件与所述导电层间隔设置。
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