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龙图腾网获悉上海陛通半导体能源科技股份有限公司申请的专利一种高应力氮化硅薄膜及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117721441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311850731.0，技术领域涉及：C23C16/34；该发明授权一种高应力氮化硅薄膜及其形成方法是由周洁鹏;苗春雨;宋维聪设计研发完成，并于2023-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高应力氮化硅薄膜及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高应力氮化硅薄膜的形成方法，所述方法包括在基底沉积氮化硅薄膜之前，向反应腔室内通入含硅气体硅烷、氨气和笑气，在腔体表面沉积保护腔体的氧化硅薄膜的步骤。本发明通过控制沉积的氧化硅薄膜的应力和厚度，使得该氧化硅薄膜在沉积高应力氮化硅薄膜的时候不容易掉下颗粒，从而减少了形成的高应力氮化硅薄膜的颗粒缺陷。采用本发明的方法在连续镀膜两万片后，颗粒缺陷依然稳定，通过采用最佳的工艺参数条件，可使颗粒数量稳定保持在10颗以下。

本发明授权一种高应力氮化硅薄膜及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种高应力氮化硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、控制PECVD设备的真空反应腔室的温度为350～400℃，然后去除腔体杂质，并使真空反应腔室的上极板氟化形成氟化铝； S2、向真空反应腔室内通入惰性气体吹扫后，通入含硅气体硅烷、氨气和笑气进行预处理；然后继续向真空反应腔室内通入含硅气体硅烷、氨气和笑气，并控制射频功率为1200～1300W，在腔体表面沉积保护腔体的氧化硅薄膜； S3、向真空反应腔室内通入惰性气体吹扫后，再通入笑气，并控制射频功率为500～1000W，处理一定时间； S4、将基底放入真空反应腔室内的基座上，向真空反应腔室内通入含硅气体硅烷和氨气进行预处理；然后继续向真空反应腔室内通入含硅气体硅烷和氨气，同时通入N2，在基底表面沉积形成高应力氮化硅薄膜； 步骤S2中，所述进行预处理的具体步骤为：向真空反应腔室内通入含硅气体硅烷400～500sccm、氨气130～170sccm、笑气4000～5000sccm，通入时间为5～10s； 步骤S2中，所述在腔体表面沉积保护腔体的氧化硅薄膜的步骤中，保持真空反应腔室内的压强为1～10torr，通入含硅气体硅烷、氨气和笑气的流量与预处理的流量相同，沉积时间为17～29s，沉积的氧化硅薄膜的厚度为1000～2000Å，应力为-50～-75Mpa。

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