中国科学院大连化学物理研究所任高远获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种异形纳米硅溶胶及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117623321B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311352785.4，技术领域涉及：C01B33/145；该发明授权一种异形纳米硅溶胶及其制备方法和应用是由任高远;王树东设计研发完成，并于2023-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种异形纳米硅溶胶及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种异形纳米硅溶胶及其制备方法和应用。以有机硅源为原料，以水和醇作为混合剂，在碱性催化剂作用下生成初始硅溶胶，再将营养液与初始硅溶胶反应，陈化后得到异形纳米硅溶胶。异形硅溶胶制备的抛光液，该抛光液可用于芯片领域相关工序的抛光，去除率表现优异。其制备得到的纳米硅溶胶颗粒为异形非球形，颗粒真密度为1.8～2.2gcm3，实验步骤简单且硅溶胶纯度高，方便大规模工业放大与产业化。
本发明授权一种异形纳米硅溶胶及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种异形纳米硅溶胶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将含有有机硅源的水醇溶液与碱性催化剂，在非活性气体气氛下，混合，加热I，陈化I，得到晶种，于微通道混合器中，将晶种与营养液混合，加热II，陈化II，得到所述异形纳米硅溶胶； 所述异形纳米硅溶胶中的纳米氧化硅颗粒具有非球形的不规则形貌； 所述异形纳米硅溶胶的平均粒径为20~200nm； 所述异形纳米硅溶胶的PDI为0.1~0.4； 所述异形纳米硅溶胶的真密度为1.8~2.2gcm3； 所述有机硅源选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、四乙氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、N-氨乙基γ-氨丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-巯丙基三乙氧基硅烷、β-3,4环氧环己基乙基三甲氧基硅烷、1,2-双三甲氧基硅基乙烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷中的至少一种。
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