郑州磨料磨具磨削研究所有限公司邵俊永获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州磨料磨具磨削研究所有限公司申请的专利一种金刚石微球及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117566737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311562205.4，技术领域涉及：C01B32/26；该发明授权一种金刚石微球及其制备方法是由邵俊永;吴晓磊;徐帅;周文涛;闫建明;闫宁;赵延军设计研发完成，并于2023-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金刚石微球及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种金刚石微球的制备方法，属于微纳米粉体材料合成技术领域。其以单晶硅作为衬底，在衬底表面实施化学刻蚀获得有利于金刚石均匀形核的表面结构，采用CVD技术，在过饱和碳离子浓度条件下，通过沉积气压、温度、时间的控制，在单晶硅衬底上沉积多晶金刚石微球。本发明所制备的金刚石微球形状规则且近似球形，粒径可控且粒径均一，在高导热填充材料、聚合物涂层、以及生物医学中的诊断、成像和治疗载体等技术领域有广泛的应用前景。
本发明授权一种金刚石微球及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石微球的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 以单晶硅作为衬底进行化学刻蚀获得有利于金刚石均匀形核的表面结构，然后采用CVD技术，在过饱和碳离子浓度条件下，在单晶硅衬底上沉积，获得金刚石微球； 所述化学刻蚀是将单晶硅在80-90℃的刻蚀液中恒温腐蚀8-20min；所述刻蚀液由1-5g氢氧化钠、80-110ml水和8-20ml乙醇混合组成； 所述表面结构为1-50μm的单晶硅111面四棱锥； 所述过饱和碳离子浓度条件是指CH4相对于H2的体积比例为4-10%； 所述沉积的工艺参数为：CH4H2混合气体的气压10-14kPa，单晶硅表面温度840-920℃，沉积时间4-12h。
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