西安交通大学孟国栋获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117457783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311370087.7，技术领域涉及：H10F30/28；该发明授权基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管是由孟国栋;折俊艺;余浩;刘鑫;成永红设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管，自下而上依次包括：衬底；覆盖所述衬底的氧化铪基铁电背栅介质层，其中，所述氧化铪基铁电背栅介质层采用铝掺杂氧化铪铁电薄膜；以及设于所述氧化铪基铁电背栅介质层两端的源漏复合电极金属层和设于所述氧化铪基铁电背栅介质层表面的二维半导体沟道。本发明利用铁电剩余极化场作浮栅实现对二维半导体电子输运特性的调控，工作时无需外施栅压，对可见光的探测具有灵敏度高、响应迅速、功耗低等优点，并且采用标准化工艺达到超薄厚度，从而实现大规模、高集成化微纳传感阵列的量产。
本发明授权基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管在权利要求书中公布了：1.一种基于二维沟道的氧化铪基超薄光电晶体管，其特征在于，光电晶体管自下而上依次包括： 衬底1； 覆盖所述衬底1的氧化铪基铁电背栅介质层2，其中，所述氧化铪基铁电背栅介质层2采用铝掺杂氧化铪铁电薄膜； 以及设于所述氧化铪基铁电背栅介质层2两端的源漏复合电极金属层和设于所述氧化铪基铁电背栅介质层2表面的二维半导体沟道5； 所述铝掺杂氧化铪铁电薄膜的剩余极化场代替外施栅极电压作用在二维半导体沟道5上，构筑形成浮栅结构； 所述铝掺杂氧化铪铁电薄膜调制为向上极化或向下极化状态； 所述二维半导体沟道5采用单层二硫化钼； 所述铝掺杂氧化铪铁电薄膜的铝元素掺杂浓度为7mol%； 所述铝掺杂氧化铪铁电薄膜的厚度为10nm。
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