中国科学技术大学叶逸凡获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种超高真空原子层沉积系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117448787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311505405.6，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种超高真空原子层沉积系统是由叶逸凡;丁红鹤;徐吉龙设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超高真空原子层沉积系统在说明书摘要公布了：本发明涉及原子层沉积技术领域，公开了一种超高真空原子层沉积系统，包括支架外框、前驱体源瓶、阀控气路系统、沉积腔、超高真空转移腔、样品架和抽真空系统，前驱体源瓶安装于支架外框上，前驱体源瓶的输出端与阀控气路系统的输入端连接，阀控气路系统的输出端与沉积腔的进气口连接，沉积腔的出气口与抽真空系统的输入端连接，沉积腔与超高真空转移腔呈竖向布置，且沉积腔与超高真空转移腔相互连通，超高真空转移腔的顶部安装有固定套；本发明具有能够在超高真空环境下沉积并且转移样品的优势，且整套系统尺寸较小，本发明使用的特殊结构的样品架配合沉积腔可以实现小内容积的沉积腔，在提高效率的同时满足了隔绝真空的功能。
本发明授权一种超高真空原子层沉积系统在权利要求书中公布了：1.一种超高真空原子层沉积系统，其特征在于，包括支架外框1、前驱体源瓶2、阀控气路系统3、沉积腔4、超高真空转移腔5、样品架6和抽真空系统8，所述前驱体源瓶2安装于支架外框1上，所述前驱体源瓶2的输出端与阀控气路系统3的输入端连接，所述阀控气路系统3的输出端与沉积腔4的进气口连接，所述沉积腔4的出气口与抽真空系统8的输入端连接，所述沉积腔4与超高真空转移腔5呈竖向布置，且所述沉积腔4与超高真空转移腔5相互连通，所述超高真空转移腔5的顶部安装有固定套52，所述样品架6的样品放置端设于固定套52内，且所述固定套52的一侧安装有线性驱动器7，所述线性驱动器7用于驱动样品架6的样品放置端在沉积位置和传样位置相互切换，所述沉积位置为样品架6的样品放置端处于沉积腔4内进行原子层沉积的位置，所述传样位置为样品架6的样品放置端处于超高真空转移腔5内进行传样检测的位置。
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