中国科学院电工研究所马衍伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种硅薄膜电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117265491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311101138.6，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种硅薄膜电极的制备方法是由马衍伟;马一博;王凯设计研发完成，并于2023-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅薄膜电极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于电极材料技术领域，具体涉及一种硅薄膜电极的制备方法。本发明提供一种硅薄膜电极的制备方法，包括以下步骤：在铜箔基体表面磁控溅射生长硅薄膜，得到所述硅薄膜电极；所述磁控溅射生长硅薄膜的条件包括：功率密度为1.3～3.9Wcm2，反向时间为4～10μs，频率为1～10kHz，工作压力≤0.5Pa且不为零。本发明提供的硅薄膜电极能够有效的提高锂离子电池的循环性能。
本发明授权一种硅薄膜电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤为： 在铜箔基体表面磁控溅射生长硅薄膜，得到所述硅薄膜电极； 磁控溅射生长硅薄膜前，还包括在所述铜箔基体的表面磁控溅射生长过渡铜层；所述过渡铜层的厚度为300nm； 所述磁控溅射生长硅薄膜的条件包括：功率密度为2.6Wcm2，反向时间为4μs，频率为5kHz，工作压力为0.5Pa； 所述硅薄膜的厚度为300nm。
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