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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种衬底的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117245457B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311461722.2，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种衬底的抛光方法是由周国清;李春雨设计研发完成，并于2023-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衬底的抛光方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种衬底的抛光方法，包括以下步骤：对边缘完成倒角后的衬底的边缘进行机械抛光，使衬底边缘的表面粗糙度小于10nm；对完成机械抛光的衬底的边缘进行化学机械抛光，化学机械抛光依次包括粗抛步骤和精抛步骤；粗抛步骤包括：使用酸性抛光液对衬底的边缘进行粗抛，使衬底边缘的表面粗糙度小于0.2nm；精抛步骤包括：当衬底为碳化硅衬底时，使用碱性抛光液对衬底的边缘进行精抛，使衬底边缘的表面粗糙度小于0.1nm；当衬底为氮化镓衬底时，使用酸性抛光液对衬底的边缘进行精抛，使衬底边缘的表面粗糙度小于0.1nm。本发明的衬底的抛光方法用于降低衬底产生的表面缺陷的概率，提高衬底的良率和品质。

本发明授权一种衬底的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种衬底的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： 对边缘完成倒角后的所述衬底的边缘进行机械抛光，使所述衬底边缘的表面粗糙度小于10nm；其中，在机械抛光过程中，向待抛光区域喷洒去离子水或二氧化硅抛光液，所述二氧化硅抛光液中，磨料二氧化硅的浓度为5-10wt%，磨料二氧化硅的颗粒度为500-800nm，所述二氧化硅抛光液的pH值为9-11，所述二氧化硅抛光液的温度为40-45℃，所述二氧化硅抛光液的抛光压力为200-250gcm2，抛光时间为1-15分钟；当所述衬底为碳化硅衬底时，所述二氧化硅抛光液的滴落速度为0.5-1Lmin；当所述衬底为氮化镓衬底时，所述二氧化硅抛光液的滴落速度为0.1-0.3Lmin； 对完成机械抛光的所述衬底的边缘进行化学机械抛光，所述化学机械抛光依次包括粗抛步骤和精抛步骤； 所述粗抛步骤包括：使用酸性抛光液对所述衬底的边缘进行粗抛，使所述衬底边缘的表面粗糙度小于0.2nm；其中，酸性抛光液的pH值为5-6.5，以重量百分比计，除余量的水和悬浮剂以外，所述酸性抛光液还包括：2-15wt%的氧化铝与5-8wt%的高锰酸钾；磨料氧化铝的颗粒度为100-300nm，所述酸性抛光液的温度为40-45℃，所述酸性抛光液的滴落速度为0.3-0.5Lmin，抛光压力为200-250gcm2，抛光时间为1-10分钟；和或，所述酸性抛光液通过加入质量百分比为2-5%wt%的KOH或MgOH2水溶液和2-10wt%的稀盐酸或硝酸水溶液调节pH值； 所述精抛步骤包括：当所述衬底为碳化硅衬底时，使用碱性抛光液对所述衬底的边缘进行精抛，使所述衬底边缘的表面粗糙度小于0.1nm；当所述衬底为氮化镓衬底时，使用酸性抛光液对所述衬底的边缘进行精抛，使所述衬底边缘的表面粗糙度小于0.1nm。

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