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龙图腾网获悉北京维开科技有限公司申请的专利一种孪生工艺腔室的磁控溅射系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311022905.4，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种孪生工艺腔室的磁控溅射系统是由杜鸿基;陈亮设计研发完成，并于2023-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种孪生工艺腔室的磁控溅射系统在说明书摘要公布了：本发明属于真空镀膜设备技术领域，具体公开了一种孪生工艺腔室的磁控溅射系统，包括多片进样腔室、第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室，所述第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室结构相同，多片进样腔室和第一孪生工艺腔室、第二孪生工艺腔室之间分别通过高真空隔离阀连接；多片进样腔室采用前后开门设计，多片进样腔室内设有多片工件装置和传送机械手；第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室内部均设有靶枪系统和工件盘。本发明使孪生工艺腔室执行的工艺互不影响，能在保持真空的条件下连续生产，节省时间，提高生产效率，节省时间，提高生产效率，提升维护效率，降低维护难度。

本发明授权一种孪生工艺腔室的磁控溅射系统在权利要求书中公布了：1.一种利用孪生工艺腔室的磁控溅射系统进行磁控溅射的方法，其特征在于， 孪生工艺腔室的磁控溅射系统包括多片进样室、第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室，所述第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室结构相同，多片进样室和第一孪生工艺腔室之间通过第一高真空隔离阀连接，多片进样室和第二孪生工艺腔室之间通过第二高真空隔离阀连接；第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室内部均设有靶枪系统和工件盘系统；所述多片进样室具有独立的真空系统；所述第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室均设有独立的真空系统； 第一孪生工艺腔室和第二孪生工艺腔室的镀膜过程控制具体包括： 首先对不同镀膜工艺的镀膜时间进行预标定，具体为选择样品工件，记录镀膜材料与工件距离、镀膜功率、气体流量、工件数量、工件盘转速数据；镀膜完成后测定样品的镀膜厚度及样品表面镀膜均匀性，剔除均匀性不符合要求的工件； 对剩余工件分析各参数与镀膜厚度之间是否为线性关系，对于存在线性关系的参数溅射功率、镀膜时间参数，记录其与镀膜厚度的线性关系，并将该关系存储于控制系统内作为预设设置，对存在非线性关系的参数，镀膜时采用固定参数值； 随后设定多片进样室中的工件装载拆卸和抽真空时间，并按照各孪生工艺腔室的镀膜厚度要求，计算所需的镀膜时间；将每个孪生工艺腔室的镀膜时间加上对应的进样和抽真空、进样时传送和抽真空、出样时传送和抽真空、出样和放真空时间作为一个整体的工艺周期，将各孪生工艺腔室的各工艺周期时间进行对比，选择工艺次序； 各个腔室中抽真空时，采用压力传感器对其真空度进行检测，对进样室而言，需要将检测到的真空压强值与基准值作对比，满足需求时，打开高真空隔离阀进行进样出样操作； 在设备周边设置环境压力和湿度传感器，分别实时采集环境大气压力和湿度值，记为PL和RL，并实时传送给控制系统； 进样室中设置压力传感器采集进样室的压强值Pi，并按照如下方式换算： 式中w为湿度系数，取值范围为0.1～0.15；当kL符合预设值时，则认为真空度已经符合要求。

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