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龙图腾网获悉天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司申请的专利一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116852267B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311014792.3，技术领域涉及：B24C1/06；该发明授权一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法是由徐秋峰;张忠伟;汪万盾;钱煜;濮思麒;曹焕设计研发完成，并于2023-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法在说明书摘要公布了：本发明涉及压电晶体技术领域，尤其是一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法，包括以下步骤：a将钽酸锂晶片正面进行贴膜保护；b加热喷砂磨料，对喷砂磨料进行烘烤；c开启喷砂平台旋转，调整喷砂枪口与钽酸锂晶片间距离，调整喷砂压力至0.2‑0.3Mpa，对晶片背面进行第一次粗糙化加工，d完成第一次粗糙化加工后，清除晶片表面附着的喷砂颗粒残留，重新调整喷砂压力至0.1‑0.15Mpa，对晶片背面进行第二次粗糙化加工；e第二次粗糙化加工完成后，置于氢氟酸和硝酸混合溶液槽中浸泡，再置于温水槽中进行超声清洗，然后置于常温槽中进行超声清洗，最后置于溢流槽中，完成晶片清洗。

本发明授权一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法在权利要求书中公布了：1.一种超薄钽酸锂晶片背面粗糙化加工方法，其特征在于：包括以下步骤： a将钽酸锂晶片正面进行贴膜保护，然后把钽酸锂晶片真空吸附于喷砂平台上，所述钽酸锂晶片的厚度为0.18-0.25mm； b加热喷砂磨料，对喷砂磨料在80-85℃下进行烘烤，烘烤时间30-40min； c开启喷砂平台，喷砂平台转数30-40rpm，调整喷砂枪口与钽酸锂晶片间距离为50-80mm，调整喷砂压力至0.2-0.3Mpa，对晶片背面进行第一次粗糙化加工，喷枪往复数为1-2次，往复速率为2-3min次； d完成第一次粗糙化加工后，关闭喷砂平台转动和喷砂压力，采用无尘布沾取无水乙醇擦拭清除晶片表面附着的喷砂颗粒残留，并辅以去离子风吹扫，降低晶片静电吸附能力，完成颗粒清除后，提高喷砂平台转数至30-40rpm，重新调整喷砂压力至0.1-0.15Mpa，对晶片背面进行第二次粗糙化加工，喷枪往复数为3-5次，往复速率为4-5min次； e第二次粗糙化加工完成后，取下晶片，置于氢氟酸和硝酸混合溶液槽中浸泡，溶液槽温度为40-45℃，再置于温水槽中进行超声清洗，温水槽温度为35-40℃，然后置于常温槽中进行超声清洗，常温槽为20-30℃，最后置于溢流槽中，完成晶片清洗。

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