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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116834163B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310611027.3，技术领域涉及：B28D5/02；该发明授权基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法是由程健;侯家锟;陈明君;赵林杰;武文强;刘启;王景贺;刘志超;王健;许乔设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法在说明书摘要公布了：基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法，涉及光学工程技术领域，为解决现有自动对刀方法对对刀阶段的划分准确性不高、缺少安全判据、自动对刀过程的效率不高的问题。本发明采用对晶体口径外三点标定的方法，建立晶体待修复表面的拟合平面方程，并考虑重力变形的影响，划分粗对刀阶段与精对刀阶段；确定粗对刀阶段进给参数和进式进刀策略，通过修复显微镜系统辅助测距，对刀尖到晶体待修复表面运动过程的距离进行修正，增设安全判据；确定精对刀阶段的进给参数和进给策略，对比每次进给前后扫描显微镜采集到的图像并进行处理，以视野中出现对刀凹坑作为对刀成功标志。实现准确、安全和高效的对刀过程。

本发明授权基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法在权利要求书中公布了：1.基于节点渐进式的大口径KDP晶体元件表面全域微缺陷修复用自动对刀工艺规划方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1.安装大口径KDP晶体，组装并调整修复显微镜系统与扫描显微镜系统，晶体修复机床系统各轴自动回零； 步骤2.采用扫描显微镜系统对晶体口径外三点标定的方法，建立晶体待修复表面的拟合平面方程，基于所述拟合平面方程并考虑重力变形对对刀位置的影响，确定划分粗对刀阶段与精对刀阶段的关键点位置坐标； 步骤3.确定粗对刀阶段进给参数，粗对刀阶段采用节点式渐进式进刀策略，通过修复显微镜系统采用“倒影法”计算出刀具距离晶体待修复表面的距离，在刀具处于不同节点之间时，采用不同的进给参数，实现快速进给对刀； 步骤4.粗对刀阶段中通过修复显微镜系统辅助测距，对刀具到晶体待修复表面运动过程的距离进行修正，增设安全判据，从而实现不同进给参数下的安全进给； 步骤5.确定精对刀阶段的进给参数，采用恒定步距进给策略，对比每次进给前后扫描显微镜采集到的图像并进行处理，以视野中出现对刀凹坑作为对刀成功标志； 步骤3中粗对刀阶段分为四个过程，粗对刀过程工艺规划具体为： 3-1选用500μm处为安全平面，基于节点式渐进进刀策略，当刀具距离待修复表面距离大于500μm时，以500μms的进给速度运动至500μm处； 3-2当刀具到待修复表面距离小于500μm时，刀具进入视野，将进给速度调整为100μms； 3-3当刀具到待修复表面距离至小于100μm时，将进给速度调整为10μms； 3-4当刀具到待修复表面距离至小于50μm时，将进给速度调整为5μms，直至距离达到25μm。

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