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龙图腾网获悉郑州轻工业大学申请的专利一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116660108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310633830.7，技术领域涉及：G01N15/02；该发明授权一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法是由崔建涛;赵高利;毛艳芳;叶娜;杜中州;甘勇;苏日建;刘文中设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法，用以解决抗磁性物质对磁纳米颗粒磁化响应信号的干扰，导致磁纳米颗粒核粒径分布估计准确性下降的问题。本发明步骤为：将混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品放入待测对象区；对样品施加直流磁场激励；测得样品磁化响应信号；根据郎之万函数构建磁化响应信息与核粒径分布信息之间的函数关系；设置不同的激励磁场强度，获得Z个不同磁化响应信息与核粒径分布信息之间的函数关系求解得到核粒径分布信息。本发明可以有效消除抗磁性物质对磁纳米颗粒磁化响应信号的弱抗磁干扰噪声，减少弱抗磁环境下磁纳米颗粒核粒径分布估计误差，提高免洗磁纳米免疫检测技术和生物传感器的检测精度。

本发明授权一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法在权利要求书中公布了：1.一种弱抗磁环境下的磁纳米颗粒核粒径分布信息估计方法，其特征在于，其步骤为： 步骤一：将混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品放置在待测对象处，设置初始迭代参数i＝1； 步骤二：对样品施加直流激励磁场，实时测量直流磁场激励下样品的磁化响应信号；所述步骤二中利用通电的亥姆霍兹线圈或者螺线管产生直流激励磁场，直流激励磁场Hi＝Hi，其中，Hi是第i次迭代的直流磁场强度；直流磁场强度Hi的范围为0特斯拉-0.94特斯拉； 步骤三：利用数据采集卡对磁化响应信号进行数据采集得到离散磁化响应信号； 步骤四：根据样品的离散磁化响应信号和直流激励磁场求出其磁化率，基于混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品磁化率与样品中抗磁性物质磁化率之间的耦合关系，建立磁化响应的经验表达补偿模型； 所述步骤四中建立磁化响应经验表达补偿模型的方法为： 对混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品施加直流磁场激励，用磁探测传感器测其磁化响应信号时，抗磁性物质的弱磁干扰噪声会耦合到磁纳米颗粒磁化响应信号中，引起磁纳米颗粒磁化响应信号测量出现误差，即：XDMHi＝XMHi+XDHi， 其中，XDMHi为混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品磁化率，XMHi为混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品中磁纳米颗粒磁化率，XDHi为混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品中抗磁性物质磁化率； 根据混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品磁化率和样品中抗磁性物质磁化率之间的耦合关系，对混有抗磁性物质的磁纳米颗粒样品磁化响应进行补偿，构建经验表达补偿模型： MCHi＝XDMHiHi-XDHiHi； 将经验补偿模型代入磁化强度的表达式进一步整理可得磁化响应信息与粒径分布信息之间的函数关系：，其中，； 磁纳米粒子个数nDc和体积VDc与核粒径分布函数的关系为： ； 其中表示对数正态分布函数；ωk、μk和σk分别表示核粒径分布函数中的参数的权重、期望和方差；Dc表示磁纳米颗粒的直径即粒径； 所述步骤四中磁化率为：， 其中，MHi为磁化响应信号的磁化强度，Hi为磁化响应信号对应的直流激励磁场；顺磁性物质的磁化率为正值，抗磁性物质的磁化率为负值； 步骤五：结合经验表达补偿模型，根据郎之万函数构建磁化响应信息与核粒径分布信息之间的函数关系； 步骤六：设置不同的直流激励磁场强度，重复步骤二到步骤五获得Z个不同直流激励磁场强度下的磁纳米颗粒磁化响应信息与核粒径分布信息之间的函数关系，将Z个函数关系组成矩阵方程组得到数学模型； 步骤七：求解步骤六中的数学模型，反演出核粒径分布信息。

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