浜松光子学株式会社若森俊树获国家专利权
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龙图腾网获悉浜松光子学株式会社申请的专利离子传感器及离子传感器的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116635714B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180086299.5，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权离子传感器及离子传感器的制造方法是由若森俊树;中东真一设计研发完成，并于2021-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子传感器及离子传感器的制造方法在说明书摘要公布了：离子传感器具备基板与多个检测部。各检测部具有ID部、ICG电极、TG电极、SG电极、电极焊盘、及离子感应膜。SG电极在基板的主面上，配置于ICG电极与TG电极之间。电极焊盘与SG电极电连接，隔着SG电极配置于基板的相反侧。离子感应膜设置于电极焊盘的表面，相应于与离子感应膜接触的水溶液的离子浓度的变化而使电位变化。ICG电极与TG电极相对的相对方向上的离子感应膜的宽度大于ICG电极与TG电极的间隔宽度。
本发明授权离子传感器及离子传感器的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种离子传感器，其中， 具备： 基板；及 多个像素，其设置于所述基板的第1面， 各所述像素具有电荷蓄积部、第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、及离子感应膜， 所述电荷蓄积部形成于沿着所述基板的所述第1面的区域，蓄积用于注入至所述基板中自所述基板的厚度方向观察时形成于与所述第3电极重叠的部分的电势阱的电荷， 所述第1电极配置于所述第1面上，以控制自所述电荷蓄积部向所述电势阱的电荷注入量的方式构成， 所述第2电极配置于所述第1面上，以进行用于自所述电势阱向外部传送电荷的控制的方式构成， 所述第3电极在所述第1面上，配置于所述第1电极与所述第2电极之间， 所述第4电极与所述第3电极电连接，隔着所述第3电极配置于所述基板的相反侧， 所述离子感应膜设置于所述第4电极的与所述基板侧相反侧的面上，相应于与所述离子感应膜接触的介质的离子浓度的变化而使电位变化， 所述第1电极与所述第2电极相对的相对方向上的所述离子感应膜的宽度大于所述第1电极与所述第2电极的间隔宽度， 自所述厚度方向观察时，所述第1电极的一部分与所述第3电极重叠。
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