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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种耐高温压力传感器封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116380332B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310264834.2，技术领域涉及：G01L11/02；该发明授权一种耐高温压力传感器封装结构及其封装方法是由刘佳豪;陈邦器;蒋永刚设计研发完成，并于2023-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温压力传感器封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种耐高温压力传感器封装结构及其封装方法，包括传感头装置、卡套接头和尾端固定装置；所述传感头装置包括传感帽、耐高温陶瓷胶、SiC陶瓷基座、传感座、金属延长管、镀金光纤、金属密封圈、光纤插芯和SiC传感元件；本发明中SiC传感元件与SiC陶瓷基座通过镍Ni扩散键合连接，相比于压紧密封，操作简单更可靠。SiC传感元件和SiC陶瓷基座具有相同的热膨胀系数，键合后可以保证该键合界面在高温下的气密性良好而不会漏气；金属密封圈的紧密配合安装实现SiC传感三层结构与封装传感帽之间的间隙密封；利用激光焊接密封传感帽与传感座、传感座与金属延长管。通过这三种方式实现传感器的气密性封装，规避了传感器泄漏的风险。

本发明授权一种耐高温压力传感器封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种耐高温压力传感器封装结构，其特征在于：包括传感头装置、卡套接头和尾端固定装置； 所述传感头装置包括传感帽、耐高温陶瓷胶、SiC陶瓷基座、传感座、金属延长管、镀金光纤、金属密封圈、光纤插芯和SiC传感元件；所述传感座设置于所述传感帽的尾端，所述SiC陶瓷基座封装于所述传感座与所述传感帽构成的空腔内，所述SiC传感元件与SiC陶瓷基座首端的键合面通过镍扩散键合形成SiC传感三层结构，所述传感帽的首端设置有与所述SiC传感元件相对的感压孔；所述金属密封圈设置于所述SiC陶瓷基座与所述传感帽之间，且所述传感座首端的抵住面接触抵住所述金属密封圈；所述SiC陶瓷基座内设置有位于首端的插芯安装孔和位于尾端的点胶孔，所述光纤插芯插接在所述插芯安装孔内并与所述SiC传感元件接触；所述金属延长管连接于所述传感座的尾端，所述镀金光纤一端穿过所述光纤插芯的内孔与所述SiC传感元件接触，所述镀金光纤的另一端穿过所述金属延长管并伸出于所述金属延长管，所述光纤插芯与所述SiC陶瓷基座在所述点胶孔内通过所述耐高温陶瓷胶固定，所述镀金光纤与所述光纤插芯在所述点胶孔内通过所述耐高温陶瓷胶固定； 所述卡套接头活动连接于所述金属延长管上，所述尾端固定装置设置于所述金属延长管的尾端，用于所述镀金光纤的径向限位；尾端固定装置为聚四氟乙烯管； 传感帽内由首端到尾端依次设置有三个直径逐渐变大的阶梯孔，分别为内孔一、内孔二和内孔三，SiC陶瓷基座的外壁上设置有定位轴肩面，定位轴肩面卡接在内孔一、内孔二之间的孔肩面上；传感座的首端内孔与内孔二的直径相等，定位轴肩面首端的SiC陶瓷基座的外径与内孔一的直径相等，定位轴肩面尾端的SiC陶瓷基座的外径与内孔二的直径相等，且SiC陶瓷基座尾端面与传感座的首端内孔孔底相抵；传感座的首端为插入内孔三内的插接部，插接部外径小于传感座本体外径使二者之间形成轴肩面，传感帽尾端的连接面与传感座外壁上的轴肩面连接。

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