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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116344349B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111587563.1，技术领域涉及：H10P34/42；该发明授权激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法是由胡耀武;许硕恒;黄正;夏敏设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法，在构建电极与二维材料的接触后，采用激光冲击处理能将二维材料与电极紧密接触，减小二维材料与金属的接触距离，降低肖特基势垒，增大接触面积进一步减小接触电阻，接触电阻的减小能降低二维材料光电子器件的功耗，提高器件的性能。

本发明授权激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法在权利要求书中公布了：1.一种激光冲击降低金属电极与二维材料接触电阻的方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤S1：制作好金属电极； 步骤S2：制作好介电层-二维材料结构，或导电层-介电层-二维材料多层结构，可通过激光或其他能源选择性刻蚀二维材料边缘；所述二维材料为单层或多层，或为单晶或多晶； 步骤S3：利用湿法或干法将金属电极转移到步骤S2中得到的二维材料上方；当二维材料为多层时，所述金属电极同时包围多层二维材料的侧面且不接触； 步骤S4：在步骤S3得到的多层结构上，依次铺设动量传输层、牺牲层以及等离子体约束层； 步骤S5：进行激光冲击处理，并在处理后移除动量传输层、牺牲层以及等离子体约束层，得到界面增强的金属电极与二维材料接触；其中，当二维材料为单层时，激光冲击使二维材料与金属电极的接触状态从二维材料位于金属电极的下方，且与金属的下表面接触转变为二维材料位于金属电极的中间，并与金属的侧面接触；当二维材料为多层时，激光冲击使多层材料与金属电极接触状态从仅表面接触变换为含边缘接触的包围接触； 所述步骤S1中，金属电极制作工艺包括磁控溅射、热蒸发、原子层沉积、电子束蒸发、脉冲激光沉积及金属直写；所述步骤S1中，金属电极材料为金属单质、合金或多层金属； 所述步骤S4中，动量传输层及牺牲层由金属或其合金、陶瓷、塑料组成；等离子体约束层由气体、液体或固体组成； 所述步骤S5中，脉冲激光脉冲宽度小于3微秒，频率小于1MHz，照射时间小于60s。

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