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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116288680B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310269252.3，技术领域涉及：C23C14/46；该发明授权一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法是由殷红;陈乐;高伟设计研发完成，并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料科学技术领域，具体涉及一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法。该技术方案提出一种蓝宝石衬底上直接生长的大面积六方氮化硼外延膜，所述的制备方法采用离子束辅助溅射方法，在生长过程中主辅离子源分别给予高能量的离子溅射，使高能BN原子跨越其与衬底表面的优势取向能量势垒，与衬底表面形成共价结合，诱导六方氮化硼六角网格平面沿着纵向垂直于衬底表面进行外延，从而获得大面积垂直取向的六方氮化硼外延膜。相比于常见的范德华外延生长方式，本发明外延方式可以有效释放应力，使得六方氮化硼膜与衬底表面的结合力更强，稳固性更好，适宜做光电子器件和电子器件的模板、过渡层、散热层等。

本发明授权一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石衬底上大面积六方氮化硼异质外延膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法为双离子束辅助溅射方法，包括以下步骤： 1准备蓝宝石衬底，其表面为c面取向； 2将衬底传送至离子束溅射腔室，离子束溅射腔室包含一纯硼靶材，主离子源以及辅助离子源；对该离子束溅射腔室抽真空处理； 3利用主离子源电离并加速产生的高动量氩离子束轰击纯硼靶溅射出硼原子到达衬底表面，辅助离子源电离产生氮离子和氩离子并被加速溅射到衬底表面，到达衬底表面的氮原子和硼原子直接沉积到蓝宝石衬底表面生长六方氮化硼薄膜； 步骤3中沉积氮化硼薄膜的工作气压为4×10-2Pa-6×10-2Pa，沉积温度为800℃-1000℃； 步骤3中主离子源通入的氩气流量为4-8sccm，主离子源的离子束密度为1.5-2.5mAcm2，离子加速电压为1000V-1500V；辅助离子源通入的氮气和氩气流量分别为10-32sccm和1-3sccm，辅助离子源的离子束密度为1.5-4.0mAcm2，离子加速电压为200-310V； 4生长完毕后，外延膜在氩气的气氛中冷却直至室温； 所述的六方氮化硼异质外延膜与蓝宝石衬底之间的外延关系为h-BN-1100[11-20]Al2O30001[11-20]，六方氮化硼的六角网格面垂直于衬底平面生长。

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