西安电子科技大学洪涛获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116203326B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310254046.5，技术领域涉及：G01R29/10；该发明授权一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法是由洪涛;吴瑞恒;姜文;魏昆;胡伟设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法，该方法包括：确定紧缩场反射面焦距、反射面偏置方向、静区尺寸和静区位置；将静区投影到反射面，确定投影在反射面偏置方向的最低点和最高点；通过仿真或测量得到馈源方向图数据；将馈源从指向最低点旋转到指向最高点，用几何光学法计算不同偏角反射面偏置方向上静区的幅度平坦度，通过比较找到使幅度平坦度最小的馈源偏角。本发明能够在不改变紧缩场反射面、馈源和暗室结构的前提下提升紧缩场静区性能。
本发明授权一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过调节馈源偏角提升紧缩场静区性能的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1：确定紧缩场的反射面焦距、反射面偏置方向、静区尺寸和静区位置，所述紧缩场为偏馈型单反射面紧缩场； 步骤2：将静区投影到反射面上，确定反射面上静区投影在反射面偏置方向的最低点P和最高点Q的位置； 步骤3：通过仿真或测量得到该紧缩场所用馈源的方向图数据； 步骤4：将馈源从中心指向最低点P沿反射面偏置方向旋转到中心指向最高点Q，计算馈源处于不同馈源偏角时反射面偏置方向上的静区幅度平坦度，所述馈源偏角为馈源中心指向与反射面抛物面部分的旋转轴的夹角； 步骤5：通过比较找到使反射面偏置方向上的静区幅度平坦度最小的馈源偏角，即为经过调节后的馈源偏角。
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