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聚酰亚胺先端材料有限公司赵珉相获国家专利权

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龙图腾网获悉聚酰亚胺先端材料有限公司申请的专利低介电聚酰亚胺膜及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116194512B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180064230.2,技术领域涉及:C08J5/18;该发明授权低介电聚酰亚胺膜及其制造方法是由赵珉相;李吉男设计研发完成,并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

低介电聚酰亚胺膜及其制造方法在说明书摘要公布了:本发明涉及聚酰亚胺膜及其制造方法,上述聚酰亚胺膜通过将包含酸二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液酰亚胺化而制造,上述酸二酐成分包含联苯四甲酸二酐BPDA和均苯四甲酸二酐PMDA,上述二胺成分包含间联甲苯胺m‑tolidine和对苯二胺PPD,以上述二胺成分的总含量100摩尔%为基准,上述间联甲苯胺的含量为30摩尔%以上50摩尔%以下,上述对苯二胺的含量为50摩尔%以上70摩尔%以下。

本发明授权低介电聚酰亚胺膜及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种聚酰亚胺膜,其通过将包含酸二酐成分和二胺成分的聚酰胺酸溶液酰亚胺化以形成由2个以上的嵌段构成的嵌段共聚物而制造,所述酸二酐成分由联苯四甲酸二酐BPDA和均苯四甲酸二酐PMDA组成,所述二胺成分由间联甲苯胺和对苯二胺PPD组成, 其中,所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段,所述第一嵌段通过使由联苯四甲酸二酐BPDA组成的酸二酐成分与由间联甲苯胺和对苯二胺PPD组成的二胺成分进行酰亚胺化反应而获得,所述第二嵌段通过使由联苯四甲酸二酐BPDA和均苯四甲酸二酐PMDA组成的酸二酐成分与由间联甲苯胺组成的二胺成分进行酰亚胺化反应而获得, 以所述酸二酐成分的总含量100摩尔%为基准,所述联苯四甲酸二酐的含量为48摩尔%以上60摩尔%以下,均苯四甲酸二酐的含量为40摩尔%以上52摩尔%以下, 以所述二胺成分的总含量100摩尔%为基准,所述间联甲苯胺的含量为34摩尔%以上46摩尔%以下,所述对苯二胺的含量为54摩尔%以上66摩尔%以下,以及 所述聚酰亚胺膜的玻璃化转变温度Tg为300℃以上,介电损耗因数Df为0.003以下。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人聚酰亚胺先端材料有限公司,其通讯地址为:韩国忠清北道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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