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龙图腾网获悉中国科学院电工研究所申请的专利一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116191839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211640377.4，技术领域涉及：H02M1/088；该发明授权一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路是由张少昆;范涛;温旭辉设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路，通过驱动电源、驱动芯片、推挽放大电路基于驱动电阻连接相互并联的多个功率开关模块，从而实现驱动每个功率开关模块中的功率开关器件工作，并且每个功率开关模块都含有均流电路及抗干扰电路，不仅可以优化并联SiCMOSFET管的开通性能以及关断性能，最终实现动态均流，避免因并联器件电流不均衡导致个别功率开关器件发生过电流，损耗过大而损坏，又可以对各并联SiCMOSFET器件进行有效保护，提高了系统的可靠性和工作效率。

本发明授权一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种分立式碳化硅功率器件的并联驱动电路，其特征在于，包括：布设在驱动电路板上的驱动电源、驱动芯片、推挽放大电路、相互并联的多个功率开关模块，所述驱动芯片连接所述驱动电源、所述驱动电源连接每个功率开关模块，所述驱动芯片还连接所述推挽放大电路，所述推挽放大电路通过驱动电阻连接每个功率开关模块，基于所述推挽放大电路的输出电流确定所述功率开关模块的并联数量；每个功率开关模块包括：相互连接的功率开关器件和均流电路，所述均流电路包括：开通电阻、第一铁氧体磁珠、第一整流二极管、关断电阻、第二铁氧体磁珠； 其中，所述开通电阻通过所述驱动电阻连接所述推挽放大电路，且所述开通电阻连接所述第一铁氧体磁珠形成开通支路，所述第一铁氧体磁珠连接所述功率开关器件的门极；所述第一整流二极管、关断电阻、第二铁氧体磁珠依次连接形成关断支路，所述开通支路并联所述关断支路，所述第二铁氧体磁珠连接所述功率开关器件的门极； 所述每个功率开关模块还包括：抗干扰电路，所述抗干扰电路连接所述均流电路和所述功率开关器件； 所述抗干扰电路包括：第一电容、三极管、门极电阻、第二整流二极管和第二电容； 所述三极管的发射极通过所述第一电容连接所述功率开关器件的门极，所述三极管的基极通过源极电阻连接所述功率开关器件的开尔文源极，所述三极管的发射极还连接所述功率开关器件的开尔文源极； 在所述功率开关器件的开尔文源极和门极之间串联所述门极电阻、所述第二整流二极管，所述第二电容并联在所述功率开关器件的开尔文源极和门极之间。

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