西安工业大学惠迎雪获国家专利权
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龙图腾网获悉西安工业大学申请的专利一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310223276.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法是由惠迎雪;宁克正;沈子茗;宋梓荣;彭雨薇;张进;徐均琪;陈智利;阳志强设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法，包括：电容耦合等离子体装置和跑道磁极装置；电容耦合等离子体装置包括上阳极板和下阴极板，上阳极板和下阴极板之间为等离子体工作区域，在上阳极板和下阴极板之间形成电场；跑道磁极装置包括运动装置和安装在运动装置上的跑道磁极，运动装置带动跑道磁极沿平行于下阴极板的平面运动；跑道磁极包括相邻放置的磁极磁性相反的永磁体，形成约束电场中电子的双极性扩散运动的附加耦合磁场。本发明多场耦合调制等离子体的密度、分布及定向漂移，极大地提高了难于加工材料的实际加工效率，也使得中大口径光学元件等离子体快速加工成为可能，同时提升了元件的抗激光损伤能力。
本发明授权一种磁场增强耦合等离子体加工装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种磁场增强耦合等离子体加工装置，其特征在于，包括：电容耦合等离子体装置和跑道磁极装置；其中， 所述电容耦合等离子体装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的上阳极板和下阴极板，上阳极板和下阴极板之间为等离子体工作区域，射频电源加载到所述下阴极板上，在所述上阳极板和下阴极板之间形成电场；所述下阴极板上表面放置待加工元件； 所述跑道磁极装置位于所述下阴极板底部空间，包括运动装置和安装在所述运动装置上的跑道磁极，所述运动装置带动所述跑道磁极沿平行于所述下阴极板的平面运动；所述跑道磁极包括相邻放置的磁极磁性相反的永磁体，在所述下阴极板上方形成拱形磁感线，形成约束电场中电子的双极性扩散运动的附加耦合磁场； 所述跑道磁极顶部覆盖有绝缘垫片，底部设有用于传导所述相邻放置的磁极磁性相反的永磁体间磁感线的导磁片。
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