鹏城实验室;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司王乾圣获国家专利权
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龙图腾网获悉鹏城实验室;武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请的专利一种微环谐振腔的硅基电光调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116125687B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211720740.3，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种微环谐振腔的硅基电光调制器是由王乾圣;胡晓;肖希;王磊;刘阳;徐路;陈代高;张红广设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微环谐振腔的硅基电光调制器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其包括：微环谐振腔以及直波导，微环谐振腔包括内环和外环，所述内环与所述外环均为封闭的圆环，且所述内环与所述外环的圆心位于同一点，所述内环与所述外环上均设有掺杂区，掺杂区包括P型掺杂区与N型掺杂区；所述直波导沿所述外环的径向设置于所述外环的一侧，且所述直波导与所述外环耦合，以在所述直波导的两端形成输入端和直通端。改变掺杂区的掺杂浓度，可以改变波导的折射率与吸收系数，从而实现微环的调谐与调制。并且在仿真及设计过程中，通过选取合适的同心圆内环与外环的参数，可以实现双环互耦合，以调节谐振腔由于工艺技术限制等原因造成的后向散射带来的谐振分裂情况。
本发明授权一种微环谐振腔的硅基电光调制器在权利要求书中公布了：1.一种微环谐振腔的硅基电光调制器，其特征在于，其包括： 微环谐振腔1，所述微环谐振腔1包括内环11和外环12，所述内环11与所述外环12均为封闭的圆环，且所述内环11与所述外环12的圆心位于同一点，所述内环11与所述外环12上均设有掺杂区13； 直波导2，所述直波导2沿所述外环12的径向设置于所述外环12的一侧，且所述直波导2与所述外环12耦合，以在所述直波导2的两端形成输入端和直通端； 所述掺杂区13具有N型掺杂区131和P型掺杂区132，N型掺杂区131和P型掺杂区132形成PN结； 所述P型掺杂区132包括相连接的P型重掺区1321和P型轻掺区1322，所述N型掺杂区131包括相连接的N型重掺区1311和N型轻掺区1312。
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