浙江大学陈红征获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310111939.4，技术领域涉及：H10K71/15；该发明授权快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池是由陈红征;徐唱;左立见;傅伟飞设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池在说明书摘要公布了：本发明公开了快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池，包括：自下而上依次设置衬底、阴极、阴极修饰层、活性层、阳极修饰层和阳极，形成高效准二维钙钛矿太阳能电池。活性层采用快干慢生长沉积法制备，具体包括：将GAI、MAI和PbI2按化学计量比加入到ACN和MAEtOH的混合溶剂中，混合溶剂中还加入NH4SCN和MACl，然后在阴极修饰层上旋涂沉积，退火得到GA2MAn‑1PbnI3n+1准二维钙钛矿薄膜活性层，其中n≥3。本发明采用简便的旋涂工艺沉积准二维钙钛矿活性层，避免了反溶剂的滴加过程，以实现活性层中具有可控的取向分布以及高效率的大面积准二维钙钛矿太阳能电池。
本发明授权快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池在权利要求书中公布了：1.一种快干慢生长沉积法制备高效准二维钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，包括：自下而上依次设置衬底、阴极、阴极修饰层、活性层、阳极修饰层和阳极，形成所述高效准二维钙钛矿太阳能电池； 所述活性层采用快干慢生长沉积法制备，具体包括：将GAI、MAI和PbI2按化学计量比加入到ACN和MAEtOH的混合溶剂中，所述混合溶剂中还加入NH4SCN和MACl，然后在所述阴极修饰层上旋涂沉积，退火得到GA2MAn-1PbnI3n+1准二维钙钛矿薄膜活性层，其中n≥3； 所述混合溶剂中，ACN和MAEtOH的体积比为1～2.5:3，MAEtOH中MA的质量浓度为20％～40％； 所述混合溶剂中，NH4SCN和MACl的摩尔浓度各自分别独立为PbI2的摩尔浓度的1％～20％； 所述退火的温度为60～100℃，时间为5～15min。
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