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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种带钳位的RT电流产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115987078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310182214.4，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种带钳位的RT电流产生电路是由刘子意;梁景博;程雨凡;甄少伟;张波设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带钳位的RT电流产生电路在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路领域与开关电源领域，具体来说涉及一种带钳位的RT电流产生电路。本发明基于改变外置RT电阻来控制张弛振荡器的电流进而改变控制频率。在此基础上，利用与电流IRT成比例的电流对电容进行充电，并于固定电流进行比较，并将电容处电压反馈到输出电流镜的栅极，以此来设置RT电流电容上下限，有效限制了RT电流的大小，保证了振荡器在RT阻值为极端的情况下也能工作在正常范围内。

本发明授权一种带钳位的RT电流产生电路在权利要求书中公布了：1.一种带钳位的RT电流产生电路，用于利用RT电流构成的张弛振荡器，所述RT电流构成的张弛振荡器包括电流源IRT、第一电容、第二电容、第一开关、第二开关、第一比较器、第二比较器、第一RS触发器和第一反相器； 第一电容的一端接电流源IRT、第一开关的一端和第一比较器的同相输入端，第一电容的另一端和第一开关的另一端接地； 第二电容的一端接电流源IRT、第二开关的一端和第二比较器的同相输入端，第二电容的另一端和第二开关的另一端接地； 第一比较器的反相输入端接基准电压VREF，其输出端接第一RS触发器的R端; 第二比较器的反相输入端接基准电压VREF，其输出端接第一RS触发器的S端； 第一RS触发器的使能端接使能信号EN，其输出端接第一反相器的输入端和第一开关的控制端； 第一反相器的输出端接第二开关的控制端并同时作为PWM输出端； 其特征在于，所述带钳位的RT电流产生电路用于控制电流源IRT的大小，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第一电阻、第三电容、第四电容和第五电容； 第一PMOS管的源极接电源VIN，其栅极接第二PMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极、第六PMOS管的栅极、第七PMOS管的源极、第九PMOS管的栅极、第十PMOS管的漏极和第十一PMOS管的源极，第一PMOS管的漏极接第二PMOS管的源极； 第二PMOS管的栅极接第一控制信号EN1； 第三PMOS管的源极接电源VIN，其漏极接第四PMOS管的源极； 第四PMOS管的栅极接第二控制信号EN2，其漏极接第三电容的一端、第五PMOS管的漏极、第十一PMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极； 第三电容的另一端接地； 第五PMOS管的源极接电源VIN，其栅极接第八控制信号EN8； 第六PMOS管的源极接电源VIN，其漏极接第七PMOS管的栅极、第八PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极和第四电容的一端； 第四电容的另一端接电源VIN； 第七PMOS管的漏极接地； 第八PMOS管的源极接电源VIN，其栅极接第八控制信号EN8； 第九PMOS管的源极接电源VIN，其漏极接第十PMOS管的源极； 所述第一PMOS管、第三PMOS管、第六PMOS管和第九PMOS管构成镜像电流IRT的电流镜； 第十PMOS管的栅极接第二控制信号EN2； 第十一PMOS管的漏极接第十二PMOS管的源极和第十三PMOS管的源极； 第十二PMOS管的栅极接第四控制信号EN4，其漏极接电流IIN； 第十三PMOS管的栅极接第五控制信号EN5，其漏极接第十四NMOS管的漏极； 第一NMOS管的栅极接第二控制信号EN2，其源极接第二NMOS管的漏极；第一NMOS管的漏极接第二PMOS管的漏极； 第二NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地； 第五电容的一端接输入偏置电流，其另一端接地； 第三NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地； 第四NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地，其漏极接第五NMOS管的源极； 第五NMOS管的栅极接第一控制信号EN1； 第六NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地，其漏极接第七NMOS管的源极； 第七NMOS管的漏极接输入偏置电流，其栅极接第二控制信号EN2； 第八NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地，其漏极接第九NMOS管的源极； 第九NMOS管的漏极接输入偏置电流，其栅极接第一控制信号EN1； 第十NMOS管的栅极接输入偏置电流，其源极接地，其漏极接第十一NMOS管的源极； 第十一NNOS管的栅极接第三控制信号EN3，其漏极接第十二NMOS管的源极； 第十二NMOS管的栅极接输入偏置电流，其漏极接电流IIN； 所述第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管、第十NMOS管和十二NMOS管构成镜像输入偏置电流的电流镜； 第十三NMOS管的源极接地，其栅极接第七控制信号EN7，其漏极接第一电阻的一端； 第一电阻的另一端接第十四NMOS管的源极； 第十四NMOS管的栅极接第六控制信号EN6； 所述第一控制信号EN1和第二控制信号EN2用于控制Burst和PWM模式的切换，当EN1=0、EN2=1时为Burst模式，当EN1=1、EN2=0时为PWM模式；所述第三控制信号EN3用于控制是否采用内部电流偏置，当EN3=1时为采用内部电流偏置，当EN3=0时为采用外部电流偏置；所述第四控制信号EN4和第五控制信号EN5用于控制振荡器电流是否需要和外部同步，当EN4=1、EN5=0时为选用外部同步模式，EN4=0、EN5=1时为RT或者内部偏置电流实现振荡器偏置；所述第六控制信号EN6为chargepump输出电压，用于控制外部同步时振荡器电流大小；所述第七控制信号EN7用于使能振荡器电流外部同步，当EN7=1时使能；所述第八控制信号EN8用于IRT电流分配，当EN8=0时使能。

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