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龙图腾网获悉浙江师范大学申请的专利纳秒级磁场辐照装置及其设计方法、数据获取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115935676B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211645428.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权纳秒级磁场辐照装置及其设计方法、数据获取方法是由许雯珺;葛毅锋;吴瀚洋设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本纳秒级磁场辐照装置及其设计方法、数据获取方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电磁场的生物效应及其应用技术领域，公开了一种纳秒级磁场辐照装置及其设计方法、数据获取方法。纳秒级磁场辐照装置设计方法在保证96孔板上同列孔细胞受磁场辐照强度相同的情况下，建立多频段脉冲电磁环境，其中磁场输出幅值、重复频率、持续时间均连续可调，对细胞进行连续辐照实验，研究在不同参数磁场作用下，癌细胞细胞活力与磁场上升速率dBdt、磁感应强度B等PMF参数之间的关系，便于得到有效抑制癌细胞增殖的磁场参数作用区间。

本发明授权纳秒级磁场辐照装置及其设计方法、数据获取方法在权利要求书中公布了：1.一种纳秒级磁场辐照装置设计方法，其特征在于，该纳秒级磁场辐照装置设计方法包括： S1，根据不同电流的脉宽要求选取不同的磁场发生装置； S2，在96孔板2上方布置磁场辐照，使得培养在96孔板2各孔内的细胞所受的磁场辐照强度相等； S3，根据纳秒级方波的要求搭建纳秒电流源； 纳秒级辐照装置设计方法首先根据不同电流的脉宽要求选取不同的磁场发生装置，其次确定96孔板两孔间距，所得到的96孔板应使各孔细胞受磁场辐照强度相同，最后根据波的要求搭建纳秒电流源；具体设计方法如下： 选用长度为2L的长直导线作为磁场发生装置，载流为，长直导线外部任意一点的磁感应强度大小为： ，1 式1中，是长直导线长度的一半，是长直导线外部任意一点的磁感应强度大小，是长直导线中点与被测点在长直导线上投影之间的相对距离，是真空的磁导率，是电流源距离； 对于传输线电路中的充电端A点和放电端B点的反射系数β和折射系数α计算如下，由于选用的充电电阻阻值相对于负载阻抗为无穷大，所以可认为A点为开路状态，所以A点的反射系数和折射系数为： B点的反射系数和折射系数为： ，10 式中：是反射系数，是折射系数，是负载阻抗，是无损耗均匀传输线的特性阻抗； 输出脉冲的振荡幅度主要由第一次反射产生，只要满足第一次振荡幅度不大于冲击峰值的10%即可，满足方波振荡的条件为 ，11 由此可得： ，12 即只要负载阻抗满足式12，利用均匀的传输线就可以产生脉冲方波，开关导通后，在负载上得到的方波脉冲幅值为充电电压的一半，脉宽为电磁波在传输线中的传播时间的两倍。

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