山东省科学院激光研究所唐先胜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利DFB激光器制备方法和DFB激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115912050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211507721.2，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权DFB激光器制备方法和DFB激光器是由唐先胜;韩丽丽;王兆伟;宫卫华;张伟设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本DFB激光器制备方法和DFB激光器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种DFB激光器制备方法和DFB激光器，在外延片上刻蚀脊型波导结构；在脊型波导结构的垂直方向上依次沉积不同的介质材料，形成光栅结构；在脊型波导结构和光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极，得到DFB激光器。由此可见，本申请采用介质材料依次沉积的方法代替直接刻蚀来制备光栅结构，可以降低制备方法对生长工艺和制备工艺设备的依赖程度，降低工艺门槛，从而提高DFB激光器的制备效率和成品率。
本发明授权DFB激光器制备方法和DFB激光器在权利要求书中公布了：1.一种DFB激光器制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在外延片上刻蚀脊型波导结构； 制备垂直于所述脊型波导结构的第一图形结构； 层叠于所述第一图形结构，采用原子层沉积ALD技术制备第一预设厚度的氧化硅薄膜，形成第二图形结构； 层叠于所述第二图形结构，采用所述ALD技术制备第二预设厚度的氮化硅薄膜，形成第三图形结构； 重复制备多个层叠设置的所述第二图形结构和所述第三图形结构，以形成目标周期数的光栅结构，所述光栅结构覆盖与所述脊型波导结构凸出方向上除上表面外的所有面； 采用等离子体刻蚀技术，对所述第二图形结构中的氧化硅薄膜的侧壁进行选择性刻蚀，并刻蚀穿透所述第三图形结构的氮化硅薄膜至所述外延片表面； 采用等离子体增强化学气相沉积PECVD技术沉积氧化硅材料，填充刻蚀形成的孔洞结构，以在所述外延片表面形成氧化硅和氮化硅相互间隔的光栅结构； 在所述脊型波导结构和所述光栅结构的垂直方向上分别制备表面电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东省科学院激光研究所，其通讯地址为：272071 山东省济宁市高新区海川路46号山东省科学院激光研究所综合楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励