南亚科技股份有限公司李俊禄获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115911004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350211.2，技术领域涉及：H10W42/60；该发明授权半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法是由李俊禄设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件、一种电子系统以及一种半导体元件的静电放电保护方法。该半导体芯片具有一基底；一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上以接收一操作信号；一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上以接收一芯片连接信号；以及一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上。该半导体芯片具有一操作电性接触点，耦接到该操作焊料结构；一检测电性接触点，耦接到该检测焊料结构；一静电放电保护单元，耦接到该操作电性接触点；以及一逻辑电路，耦接到该检测电性接触点以依据该芯片连接信号而调整该静电放电保护单元的电容值。
本发明授权半导体元件、电子系统及其半导体元件静电放电保护方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括： 一基底； 一操作焊料结构，设置在该基底的一第一表面上，且经配置以接收一操作信号； 一检测焊料结构，设置在该基底的该第一表面上，且经配置以接收一芯片连接信号；以及 一第一半导体芯片，设置在该基底的一第二表面上，并包括： 一第一操作电性接触点，经由该基底而耦接到该操作焊料结构； 一第一检测电性接触点，经由该基底而耦接到该检测焊料结构； 一第一静电放电保护单元，耦接到该第一操作电性接触点；以及 一第一逻辑电路，耦接到该第一检测电性接触点，并经配置以依据该芯片连接信号而调整该第一静电放电保护单元的电容值； 其中该第一静电放电保护单元包括： 一第一静电放电保护元件，耦接在该第一操作电性接触点与一电压端子之间； 一第二静电放电保护元件；以及 一控制电路，与该第二静电放电保护元件串联而耦接在该第一操作电性接触点与该电压端子之间； 其中该电压端子耦接到一接地或是一电源电压。
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