上海微电子装备(集团)股份有限公司王博获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利掩模板及光刻机的标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115903371B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111164097.6，技术领域涉及：G03F1/44；该发明授权掩模板及光刻机的标定方法是由王博;张家锦设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模板及光刻机的标定方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩模板及光刻机的标定方法。其中，掩模板上的测量标记包括第一图形和第二图形，第一图形和第二图形具有一公共点，且均设置有刻度图形。在标定过程中，以标准光刻机为参照，分别在标准光刻机和待标定光刻机上曝光出测量标记，直接读取公共点的偏差并修正参数，实现对视场中心的标定；通过直接读取和计算，能得到曝光视场尺寸的误差及上片误差。其中，通过测量标记不仅可以获得二自由度的位置偏差，还能获得旋转偏差，提高上片误差的测量精度。此外，还可以将待标定光刻机作为参照基准，标定出不同上片角度下的上片相对偏移量。因此，本发明不但提高了标定效率，保证了光刻的精准度，而且应用场景多样化，通用性好，适用范围广。
本发明授权掩模板及光刻机的标定方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模板，其特征在于，包括本体以及形成在所述本体上的测量标记； 所述测量标记包括：第一图形和第二图形；所述第一图形沿第一方向延展，所述第二图形沿第二方向延展；并且，所述第一图形和所述第二图形具有一公共点，所述公共点位于所述第一图形的中点；以及，所述第一图形和所述第二图形上均设置有刻度图形； 其中，所述测量标记的公共点位于所述本体的中心，且所述第一图形的相对两端位于所述本体的边缘，所述第二图形的至少一端位于所述本体的边缘； 以及，所述掩模板上还形成有至少一个对准标记，所述至少一个对准标记沿所述本体的边缘分布；所述对准标记包括至少一个对准图形，且所述本体上的所有所述对准图形之间相差设定的旋转角度，用于对准不同的上片角度。
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