深圳大学雷蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115657206B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211297358.6，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件是由雷蕾;叶文涛;何苏设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件在说明书摘要公布了：本申请涉及光波导技术领域，提供一种提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件，该方法包括如下步骤：准备条波导，所述条波导包括依次层叠设置的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层；在所述二氧化硅层表面且背离所述硅基层的一侧制备非线性增强层，以使所述条波导在TM模式下的非线性系数随所述非线性增强层的厚度的增加而呈总体上升趋势。该条波导还包括设于所述二氧化硅层表面且背离所述硅基层的一侧的非线性增强层，所述条波导在TM模式下的非线性系数随所述非线性增强层的厚度的增加而呈总体上升趋势。本申请通过设计非线性聚合物来增强倏逝波光场与非线性聚合物的相互作用，从而解决器件在TM模式下条波导非线性效应较低的问题。
本发明授权提高条波导非线性系数的方法、条波导及光器件在权利要求书中公布了：1.一种提高条波导非线性系数的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 准备条波导，所述条波导包括依次层叠设置的硅基层、二氧化硅层和单晶硅层； 在所述二氧化硅层表面且背离所述硅基层的一侧制备非线性增强层，以使所述条波导在TM模式下的非线性系数随所述非线性增强层的厚度的增加而呈总体上升趋势，所述非线性增强层的材料为MEH-PPV、DDMEBT中的任一种或几种； 所述非线性增强层覆盖于所述二氧化硅层的上表面，并包裹所述单晶硅层，所述非线性增强层的厚度大于或等于所述单晶硅层的厚度；所述非线性增强层四周边缘与所述二氧化硅层的接触面的四周对齐重合，所述二氧化硅层的厚度保持与所述单晶硅层顶面相平齐。
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