长鑫存储技术有限公司朱萌获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602537B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110775030.X，技术领域涉及：H10P50/60；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱萌设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括提供基底；在基底上形成多晶硅层，多晶硅层背离基底的表面具有原生氧化层；氮化处理原生氧化层，以使原生氧化层氮化为氮氧化硅层。本申请通过对原生氧化层进行氮化，将原生氧化层氮化为氮氧化硅层，由于氮氧化硅层的刻蚀速率小于原生氧化层刻蚀速率，在后续的刻蚀过程中，可以避免侧向刻蚀氮氧化硅层，保证氮氧化硅层上图形的完整性，进而保证了以图形化后的氮氧化硅层作为掩膜版，所形成的图形的准确性，提高了半导体结构的良率。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底； 在所述基底上形成多晶硅层，所述多晶硅层背离所述基底的表面具有原生氧化层； 氮化处理所述原生氧化层，以使所述原生氧化层氮化为氮氧化硅层； 在所述氮氧化硅层上形成第一掩膜层和具有掩膜图案的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层作为掩膜版，去除部分所述第一掩膜层和部分所述氮氧化硅层，以形成间隔设置的多个掩膜凸起，相邻的两个所述掩膜凸起之间的距离相等。
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