长江存储科技有限责任公司李贝贝获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法和存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115566004B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211324858.4，技术领域涉及：H10W20/42；该发明授权半导体器件及其制备方法和存储系统是由李贝贝;徐伟;袁彬;许宗珂;杨竹;王香凝;霍宗亮设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法和存储系统在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种半导体器件及其制备方法。其中，一种半导体器件，包括：叠层结构，包括多层交叠设置的栅极绝缘层和栅极层；多个接触部，沿所述叠层结构的堆叠方向，各所述接触部分别贯穿至不同的所述栅极层；多个所述接触部包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部在所述堆叠方向上的投影面积大于所述第二接触部在所述堆叠方向上的投影面积。通过第一接触部和第二接触部在堆叠方向上的投影面积大小不同的设计，可以在有限的空间内比较紧凑地排布更多的接触部，进而可以压缩台阶区的空间，减小半导体器件的尺寸。
本发明授权半导体器件及其制备方法和存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 叠层结构，包括多层交叠设置的栅极绝缘层和栅极层； 多个接触部，沿所述叠层结构的堆叠方向，各所述接触部分别贯穿至不同的所述栅极层； 多个所述接触部包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部在所述堆叠方向上的投影面积大于所述第二接触部在所述堆叠方向上的投影面积，且所述第一接触部贯穿的所述栅极绝缘层的层数大于所述第二接触部贯穿的所述栅极绝缘层的层数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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