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龙图腾网获悉江西万年芯微电子有限公司申请的专利一种封装过程中电性检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565903B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211249370.X，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种封装过程中电性检测方法是由艾育林;潘雪江设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种封装过程中电性检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装过程中电性检测方法，包括：在半导体晶圆主动面形成电路，半导体晶圆上有多个半导体晶片；在有效芯片上，形成再造钝化层一，在无效芯片上，形成再造钝化层二；再造钝化层一在有效芯片的电极处形成开口一，再造钝化层二在无效芯片的电极处形成开口二；在再造钝化层一上形成再布线金属层一，在再造钝化层二上形成金属再布线一和金属再布线二，并形成金属再布线电极一和金属再布线电极二；实施漏电流检测和接触电阻检测；在再布线金属层一上形成再造钝化层三；在再造钝化层三上形成再布线金属层二，在无效芯片上形成金属布线；出货。本发明可以弥补圆片级封装制程中光学检测的不足。

本发明授权一种封装过程中电性检测方法在权利要求书中公布了：1.一种封装过程中电性检测方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤， 在半导体晶圆101主动面形成电路后表面有电极和钝化层103，半导体晶圆上有多个半导体晶片，包括边缘3mm外的有效芯片与边缘3mm内的无效芯片； 在有效芯片上，形成再造钝化层一201，在无效芯片上，形成再造钝化层二201a； 再造钝化层一201在有效芯片的电极处形成开口一202，再造钝化层二201a在无效芯片的电极处形成开口二202a； 在再造钝化层一上形成再布线金属层一305，在再造钝化层二201a上形成金属再布线一301a和金属再布线二303a，并形成对应的金属再布线电极一302a和金属再布线电极二304a； 对金属再布线电极一302a的一对电极实施漏电流检测，同时金属再布线电极二304a的一对电极实施接触电阻检测； 检测合格后在再布线金属层一305上形成再造钝化层三401； 在再造钝化层三401上形成再布线金属层二501，在无效芯片上形成金属布线502； 通过减薄、背面保护处理、切割、封装把电性合格的有效芯片包装出货； 再造钝化层三401在金属再布线电极一302a和金属再布线电极二304a上有对应开窗； 再造钝化层一201在半导体晶圆101上通过涂胶、曝光、显影、显影后检查步骤和固化的方法形成； 再造钝化层二201a在半导体晶圆101上通过涂胶、曝光、显影、显影后检查步骤和固化的方法形成； 再造钝化层三401通过涂胶、曝光、显影和固化的方法形成； 一对金属再布线电极一302a之间可以测试出多条金属再布线一301a之间是否有漏电流或者电路短路； 另外一对金属再布线电极二304a之间可以测出开口二202a内是否存在有机膜残留导致接触电阻偏大以及电路开路的异常； 在无效芯片上形成金属布线502后需要有效芯片实行晶圆级电性能测试； 在再造钝化层一201上通过溅射、光刻及电镀等工艺步骤在有效芯片上形成所述再布线金属层一305。

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