朗姆研究公司徐相俊获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利交替蚀刻与钝化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115565867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211140265.2，技术领域涉及：H10P50/20；该发明授权交替蚀刻与钝化工艺是由徐相俊;游正义;梁振伟;艾伦·J·詹生;萨曼塔·S·H·坦设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本交替蚀刻与钝化工艺在说明书摘要公布了：在半导体设备制造中使用氧化锡膜作为间隔物及硬掩模。在一种方法中，需要在暴露的含硅层，例如SiOC、SiON、SiONC、非晶硅、SiC、或SiN存在时选择性地蚀刻锡氧化物层如间隔物基脚。为了减少对含硅层的损伤，工艺涉及使含硅层相对于锡氧化物蚀刻化学物质钝化、蚀刻氧化锡、以及以交替方式重复钝化与蚀刻。例如，钝化与蚀刻可各自进行介于2‑50次之间的次数。在一实现方案中，通过利用在等离子体中受到活化的含氧反应物处理衬底而进行钝化，并且氧化锡蚀刻是由基于氯的化学物质如使用Cl2与BCl3的混合物执行的。
本发明授权交替蚀刻与钝化工艺在权利要求书中公布了：1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包含： a提供半导体衬底，所述半导体衬底具有暴露的含硅材料和暴露的氧化锡； b使所述暴露的含硅材料相对于氧化锡蚀刻化学物质钝化； c使用所述氧化锡蚀刻化学物质蚀刻所述暴露的氧化锡；以及 d重复操作b和c，以便以交替方式进行操作b与c。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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