上海华力微电子有限公司韩冲获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332083B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211043321.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体结构的制备方法是由韩冲;李士普;彭宇飞设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成锗硅层；利用三甲基铝溶液对所述锗硅层进行至少一次钝化工艺；对所述锗硅层进行退火工艺。本发明采用三甲基铝溶液对具有锗硅层进行三甲基铝钝化处理，使所述锗硅层表面形成含有大量Al‑O键的钝化层，并在所述钝化层与所述锗硅层的交界处形成锗凝聚，最后通过退火工艺使凝聚的锗离子均匀地扩散至所述锗硅层中，提高所述锗硅层中的锗离子浓度，并借助退火工艺中提供的能量形成形态良好的锗硅晶体结构，进而为提供界面陷阱密度较低且载流子迁移率较大的所述锗硅层，以提升半导体器件的性能。
本发明授权一种半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成锗硅层； 利用三甲基铝溶液对所述锗硅层进行至少一次钝化工艺，所述锗硅层上形成钝化层且锗离子凝聚在所述钝化层与所述锗硅层的交界处； 当所述锗硅层的厚度及锗离子浓度达到工艺要求后，采用原子层沉积工艺在所述钝化层上形成氧化层，所述氧化层的材料为含有Ⅲ族金属元素及含有氧自由基的氧化物，所述氧化层中的Ⅲ族金属离子对氧的结合能力强于Ge-O键与氧的结合能力，且Si-O键与氧的结合能力也强于Ge-O键与氧的结合能力； 对所述锗硅层进行退火工艺，使所述钝化层与所述锗硅层之间凝聚的所述锗离子扩散至整个所述锗硅层内。
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