上海积塔半导体有限公司高玉珠获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115308556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210896580.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆是由高玉珠;宋永梁设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆。其中，晶圆测试用的定位标记结构位于晶圆上的曝光区域的测试结构中，包括多个定位标记单元，每个定位标记单元设置于两个衬垫之间，包括串联的熔断器件、二极管和电阻，在裁切和封装曝光区域前，向每个定位标记单元加载预设的电压以为其标记状态，定位标记单元的状态组合构成定位标记结构的标记信息，以表征测试结构在晶圆上的位置。使用该定位标记结构标记和识别过程简便，在可靠性测试时，通过获取标记信息可以迅速地、方便地知晓封装样品的位置识别信息，准确率高，可追溯性好，无需手工标记，避免人为失误，避免因磨损或擦拭丢失编号信息，提高测试的准确性和效率。
本发明授权晶圆测试用的定位标记结构、曝光区域及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种晶圆测试用的定位标记结构，其特征在于，所述定位标记结构位于晶圆上的曝光区域的测试结构中，包括多个定位标记单元； 所述定位标记单元设置于两个衬垫之间，包括串联的熔断器件、二极管和电阻； 其中，在裁切所述曝光区域前，向每个所述定位标记单元加载第一电压或第二电压，以将每个所述定位标记单元标记为第一状态或第二状态，所述定位标记单元的状态组合构成所述定位标记结构的标记信息，以表征所述曝光区域在所述晶圆的位置； 所述定位标记单元的状态组合用于在封装后快速识别所述曝光区域在晶圆上的位置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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