深圳市华星光电半导体显示技术有限公司罗传宝获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295558B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210937617.0，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权驱动基板和显示面板是由罗传宝设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种驱动基板和显示面板，该驱动基板包括衬底以及设置在衬底上的源极、漏极以及有源层，源极和漏极之间具有第一间隔，有源层设置在源极和漏极上，有源层包括沟道以及位于沟道两侧的源区和漏区，源区覆于至少部分源极上，漏区覆于至少部分漏极上，沟道对应于第一间隔，如此通过源极和漏极之间的间隔来限定有源层沟道的长度，以减小有源层沟道的长度，进而提升有源层沟道的电子迁移率，以缓解现有薄膜晶体管的电子迁移率的提升受到限制的问题。
本发明授权驱动基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种驱动基板，其特征在于，包括： 衬底； 源极和漏极，设置在所述衬底上，所述源极和所述漏极之间具有第一间隔； 有源层，设置在所述衬底以及所述源极和所述漏极上，所述有源层包括沟道以及位于所述沟道两侧的源区和漏区，所述源区覆于至少部分所述源极上，所述漏区覆于至少部分所述漏极上，所述沟道对应于所述第一间隔； 栅极，设置在所述有源层远离所述源极和所述漏极的一侧，并与所述有源层对应设置； 辅助源极，位于所述源极与所述衬底之间，所述辅助源极与所述源极电连接，所述辅助源极在所述衬底上的正投影至少覆盖所述沟道在所述衬底上的正投影； 导电层，设于所述栅极远离所述衬底的一侧，所述导电层包括第一电极，所述第一电极电连接于所述源极和所述辅助源极，所述第一电极在所述衬底上的正投影至少覆盖所述沟道在所述衬底上的正投影； 其中，所述栅极在所述衬底上的正投影覆盖所述有源层的沟道在所述衬底上的正投影，且还覆盖所述有源层的至少部分源区在所述衬底上的正投影以及覆盖所述有源层的至少部分漏区在所述衬底上的正投影。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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