南亚科技股份有限公司薛宇涵获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295481B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210146632.3，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体元件结构及其制备方法是由薛宇涵设计研发完成，并于2022-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有一绝缘体上覆硅区的半导体元件结构及其制备方法。该绝缘体上覆硅区具有一半导体基底；一埋入氧化物层，设置在该半导体基底上；以及一硅层，设置在该埋入氧化物层上。该半导体元件结构亦具有一第一浅沟隔离结构，穿经该硅层与该埋入氧化物层，且延伸进入该半导体基底中。该第一浅沟隔离结构具有一第一衬垫，接触该半导体基底与该硅层；一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层；以及一第三衬垫，覆盖该第二衬垫。该第一衬垫、该第二衬垫以及该第三衬垫包含不同材料。该第一浅沟隔离结构亦具有一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上且借由该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
本发明授权半导体元件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件结构，包括： 一绝缘体上覆硅区，包含一埋入氧化物层以及一硅层，其中该埋入氧化物层设置在一半导体基底上，以及该硅层设置在该埋入氧化物层上； 一垫氧化物层，设置在该硅层上； 一垫氮化物层，设置在该垫氧化物层上； 一第一浅沟隔离结构，穿经该垫氧化物层与该垫氮化物层，并延伸进入该绝缘体上覆硅区中，其中该第一浅沟隔离结构包括： 一第一衬垫，接触该硅层与该半导体基底，其中该第一衬垫不接触该埋入氧化物层； 一第二衬垫，覆盖该第一衬垫并接触该埋入氧化物层、该垫氧化物层与该垫氮化物层； 一第三衬垫，覆盖该第二衬垫，其中该第一衬垫、该第二衬垫与该第三衬垫包含不同材料；以及 一第一沟槽填充层，设置在该第三衬垫上并借由该第三衬垫而与该第二衬垫分隔开。
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