联华电子股份有限公司刘彦军获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249643B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110447013.3，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构的制作方法是由刘彦军;张建军设计研发完成，并于2021-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体结构的制作方法，包含提供一基底，形成一第一栅极结构与一第二栅极结构位于该基底上，其中该一第一栅极结构的高度大于该第二栅极结构的高度，沉积一第一介电层，其中该第一介电层的厚度大于该第一栅极结构的高度，沉积一第二介电层于该第一介电层上，移除部分该第一介电层与该第二介电层，以及形成一第三介电层与一第四介电层于该第二介电层上。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，包含: 提供基底； 第一栅极结构与第二栅极结构位于该基底上，其中该第一栅极结构的高度大于该第二栅极结构的高度； 沉积第一介电层，其中该第一介电层直接接触该第一栅极结构和该第二栅极结构，且该第一介电层的厚度大于该第一栅极结构的高度； 沉积第二介电层于该第一介电层上； 移除部分该第一介电层与该第二介电层；以及 形成第三介电层与第四介电层于该第二介电层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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