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龙图腾网获悉无锡新洁能股份有限公司;国硅集成电路技术(无锡)有限公司申请的专利一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210830224.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法是由朱袁正;杨卓;黄薛佺;张允武;陆扬扬设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法。本发明在第一导电类型衬底上方设有第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层内设有纵向沟槽，纵向沟槽内设有栅极，在第一导电类型外延层表面设有第二导电类型体区，第二导电类型体区在第一导电类型外延层的深度大于纵向沟槽的深度，第二导电类型体区中设有第一导电类型源极和第二导电类型源极，第一导电类型源极和纵向沟槽相接，第二导电类型体区中还设有与纵向沟槽相邻的第一导电类型漏极。本发明提供的横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法和传统纵向沟槽型MOSFET器件的制造方法完全兼容，可以在不增加额外光刻版、不另外增加额外工艺步骤的情况下实现横向器件，便于器件之间的集成。

本发明授权一种横向沟槽型MOSFET器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种横向沟槽型MOSFET器件的制作方法，基于横向沟槽型MOSFET器件，其特征在于，横向沟槽型MOSFET器件包括衬底金属，在所述衬底金属上设有第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上设有第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中设有由二氧化硅绝缘材质组成的纵向沟槽，所述纵向沟槽内还设有由多晶硅材质组成的栅极，所述第一导电类型外延层表面还设有第二导电类型体区；所述第二导电类型体区在第一导电类型外延层的深度大于所述纵向沟槽的深度，在所述第二导电类型体区表面还设有重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极，所述重掺杂的第一导电类型源极一侧与所述纵向沟槽相接，所述重掺杂的第一导电类型源极另一侧与所述重掺杂的第二导电类型源极相接，在纵向沟槽水平延伸的方向上，在所述第一导电类型外延层表面还设有第一导电类型漏极，所述第一导电类型漏极与所述纵向沟槽相接； 所述第一导电类型外延层和纵向沟槽表面还设有绝缘介质，所述绝缘介质表面还设有源极金属和漏极金属； 所述源极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型源极和第二导电类型源极相连，所述漏极金属穿过绝缘介质和重掺杂的第一导电类型漏极相连； 制作方法包括如下步骤： 步骤一：选取第一导电类型衬底材料并在其表面外延生长第一导电类型外延层； 步骤二：利用掩膜窗口，在所述第一导电类型外延层的上表面选择性刻蚀出纵向沟槽； 步骤三：在纵向沟槽内生长由二氧化硅材质组成的氧化层，在所述纵向沟槽内填充多晶硅至第一导电类型外延层表面，形成栅极，并将多余的多晶硅去除； 步骤四：在所述第一导电类型外延层表面注入第二导电类型离子，经高温退火形成第二导电类型体区； 步骤五：利用掩膜窗口，在第二导电类型体区表面分别注入高浓度的第一导电类型离子和第二导电类型离子，经高温退火后，形成重掺杂的第一导电类型源极、第一导电类型漏极和第二导电类型源极； 步骤六：在所述第一导电类型外延层表面和所述纵向沟槽表面淀积绝缘介质，然后在绝缘介质上选择性刻蚀出通孔，接着淀积金属并选择性刻蚀金属，形成源极金属、栅极金属和漏极金属，在第一导电类型衬底下方淀积金属形成衬底金属。

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