上海华力微电子有限公司秋沉沉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利CMOS图像传感器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207013B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210900406.X，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权CMOS图像传感器的形成方法是由秋沉沉;钱俊;孙昌;魏峥颖设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS图像传感器的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种CMOS图像传感器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括相对的衬底正面和衬底背面；在所述衬底正面上通过一体化刻蚀工艺形成隔离槽；在剩余的所述衬底内形成光电二极管区，所述隔离槽与所述光电二极管区相邻；向所述隔离槽内填充多晶硅形成隔离结构；以及在所述隔离结构上形成连接孔。本发明采用一体化刻蚀工艺，从衬底正面开始在衬底内一次性刻蚀形成沟槽和深沟槽，然后向沟槽和深沟槽内填充多晶硅形成隔离结构，接着，在隔离结构上形成连接孔。该方法制备工艺简单，且电位可从正面接出。而隔离结构对于光电二极管区表面的串扰、暗电流和随机电报噪声均具有抑制作用。
本发明授权CMOS图像传感器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括相对的衬底正面和衬底背面； 在所述衬底正面上通过一体化刻蚀工艺形成隔离槽； 在剩余的所述衬底内形成光电二极管区，所述隔离槽与所述光电二极管区相邻； 向所述隔离槽内填充多晶硅形成隔离结构；以及 在所述隔离结构上形成连接孔； 所述隔离槽包括浅沟槽和深沟槽，所述浅沟槽的横截面面积大于所述深沟槽的横截面面积，所述深沟槽的第一端连接在所述浅沟槽的底部，所述深沟槽的第二端与所述衬底背面具有一定的距离。
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