上海积塔半导体有限公司焦岚清获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体高压器件的测试结构及晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115097279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210766832.9，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权半导体高压器件的测试结构及晶圆是由焦岚清;宋永梁;刘倩倩设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体高压器件的测试结构及晶圆在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体测试领域，提供了一种半导体高压器件的测试结构及晶圆，其中的测试结构以光刻法成型在晶圆上，栅极接线端、源极接线端、衬底接线端分别各自与栅极、源极和衬底电连接，在漏极设置有第一漏极接线端和第二漏极接线端，并且在第一漏极接线端与漏极之间串联设置防护电阻，当进行高压测试时，第一漏极接线端连接测试设备，当进行低压测试时，第二漏极接线端连接测试设备。将高压测试和低压测试的接线端分开设置，可以准确的完成全部测试项目，并且在高压测试时，防护电阻能够对突变电流起到限流作用以保护测试设备，不增加测试成本和测试复杂性。
本发明授权半导体高压器件的测试结构及晶圆在权利要求书中公布了：1.一种半导体高压器件的测试结构，用于晶圆性能测试，其特征在于，所述测试结构使用光刻法成型在所述晶圆上，包括： 相互电连接的栅极和栅极接线端； 相互电连接的源极和源极接线端； 相互电连接的衬底和衬底接线端； 漏极，以及分别电连接所述漏极的第一漏极接线端和第二漏极接线端，所述第一漏极接线端与所述漏极之间串联有以光刻法成型的防护电阻； 其中，当进行所述半导体高压器件的高压测试时，测试设备电连接所述第一漏极接线端，当进行所述半导体高压器件的低压测试时，所述测试设备电连接所述第二漏极接线端； 所述测试结构的形状与所述晶圆的芯片区域的晶体管的形状相同； 所述测试结构设置于所述晶圆的划片槽或所述芯片区域中。
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