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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种增强型晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020242B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210617062.1，技术领域涉及：H10P14/40；该发明授权一种增强型晶体管及其制造方法是由卢宏浩;唐楚滢;李鸿霖;傅淳;汪青;于洪宇设计研发完成，并于2022-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种增强型晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种增强型晶体管制造方法及一种增强型晶体管，涉及半导体器件领域。增强型晶体管制造方法包括：提供外延片，所述外延片上形成有源漏电极，且所述外延片具有一栅极待沉积区域；在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜；在所述铜氧化物膜的表面沉积栅极材料形成栅极，以获得增强型晶体管。相较于现有技术，沉积铜氧化物膜的方式更易于控制，且无需再对P型金属层和外延片的外延层进行刻蚀，一定程度上可以简化制造工艺，以及避免因制造工艺难以精确控制导致的器件性能受影响的问题。在制造过程中，还可以通过确定铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例，以制造出不同阈值电压的增强型晶体管。

本发明授权一种增强型晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种增强型晶体管制造方法，其特征在于，包括： 提供外延片，所述外延片上形成有源漏电极，且所述外延片具有一栅极待沉积区域； 在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜； 在所述铜氧化物膜的表面沉积栅极材料形成栅极，以获得增强型晶体管； 所述在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜，包括：确定所述铜氧化物的所需膜厚；基于所述铜氧化物膜的厚度与沉积时间、沉积功率、气体流量及衬底温度之间的关系，确定与所需膜厚对应的目标沉积时间、目标沉积功率、目标气体流量及目标衬底温度；基于所述目标沉积时间、所述目标沉积功率、所述目标气体流量及所述目标衬底温度，在所述栅极待沉积区域沉积对应厚度的所述铜氧化物膜； 所述在所述栅极待沉积区域沉积铜氧化物膜，包括：基于铜靶材与含有氧气的混合气体，在所述栅极待沉积区域沉积所述铜氧化物膜；所述含有氧气的混合气体为氩气与氧气的混合气体；所述基于铜靶材与含有氧气的混合气体，在所述栅极待沉积区域沉积所述铜氧化物膜，包括：确定所需形成的所述铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例；基于所述混合气体中所述氩气与氧气的比例和所述铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例之间的比例对应关系，确定所述混合气体中所述氩气与氧气的目标比例；通入所述目标比例的所述混合气体，以沉积具有对应比例的所述二价态铜离子与一价态铜离子的所述铜氧化物膜； 所述铜氧化物膜中二价态铜离子与一价态铜离子的比例用于确定所述增强型晶体管的阈值电压。

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