深圳迈塔兰斯科技有限公司郝成龙获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳迈塔兰斯科技有限公司申请的专利一种像素结构、超表面及控制像素结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115016150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210669767.8，技术领域涉及：G02F1/00；该发明授权一种像素结构、超表面及控制像素结构的方法是由郝成龙;谭凤泽;朱瑞;朱健设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种像素结构、超表面及控制像素结构的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种像素结构、超表面及控制像素结构的方法，其中，该像素结构包括：多个结构相同的相变单元，且多个相变单元以阵列形式排列；相变单元包括激励元件和相变元件，激励元件用于向相变元件施加独立的激励，以改变相变元件的相变态；相变元件包括至少一个由相变材料制作的纳米结构；相变元件的相变态包括晶态和非晶态，像素结构的相变态与像素结构中相变单元的相变态数量之间为一一对应关系。通过本发明实施例提供的像素结构、超表面及控制像素结构的方法，可以方便地实现像素结构的准连续可调；并且，激励元件能够快速准确地控制相变单元在有限的相变态之间切换，从而能够实现对像素结构快速准确地进行调控。
本发明授权一种像素结构、超表面及控制像素结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种像素结构，其特征在于，包括：多个结构相同的相变单元1，且多个所述相变单元1以阵列形式排列；所述相变单元1用于调控光的传播相位，所述相变单元1对光的偏振方向不敏感； 所述相变单元1包括激励元件10和相变元件20，所述激励元件10用于向所述相变元件20施加独立的激励，以改变所述相变元件20的相变态； 所述相变元件20包括至少一个由相变材料制作的纳米结构201；所述相变元件20的相变态包括晶态和非晶态； 所述像素结构的相变态与所述像素结构中所述相变单元1的相变态数量之间为一一对应关系，所述相变态数量包括晶态相变单元的数量和或非晶态相变单元的数量； 其中，所述像素结构的相变态只与所述像素结构所包含的不同相变态的所述相变单元1的数量有关，与不同相变态的所述相变单元1的排列方式无关。
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