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龙图腾网获悉北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种像素电路及其驱动方法、平板探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114979515B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193299.7，技术领域涉及：H04N25/70；该发明授权一种像素电路及其驱动方法、平板探测器是由陈超;徐帅;范路遥;杜小倩;许彬彬;赵斌;张晔;吴俊宇;张文宸;赵镇乾设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素电路及其驱动方法、平板探测器在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了像素电路及其驱动方法、平板探测器，像素电路包括：第一薄膜晶体管的栅极与复位电压线连接，第一薄膜晶体管的源极与第一电容的第一端、第二电容的第一端以及光敏二极管的负极连接；第一薄膜晶体管的漏极与参考电压线连接；第一电容的第二端与光敏二极管的正极，偏置电压线连接；第二电容的第二端与第四薄膜晶体管的栅极、第五薄膜晶体管的源极连接；第四薄膜晶体管的源极与第五薄膜晶体管的漏极连接，第四薄膜晶体管的漏极与第三薄膜晶体管的源极连接；第三薄膜晶体管的漏极与输出信号线连接；第二薄膜晶体管的漏极与第四薄膜晶体管的源极连接。本发明能够避免像素电路受到源极跟随器阈值电压及其漂移产生的影响。

本发明授权一种像素电路及其驱动方法、平板探测器在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其特征在于，所述像素电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第一电容、第二电容以及光敏二极管； 其中，所述第一薄膜晶体管的栅极与复位电压线连接，所述第一薄膜晶体管的源极分别与第一电容的第一端、所述第二电容的第一端以及所述光敏二极管的负极连接；所述第一薄膜晶体管的漏极与参考电压线连接； 所述第一电容的第二端分别与所述光敏二极管的正极，以及偏置电压线连接，所述光敏二极管的正极与所述偏置电压线连接； 所述第二电容的第二端分别与所述第四薄膜晶体管的栅极、所述第五薄膜晶体管的源极连接； 所述第四薄膜晶体管的源极与所述第五薄膜晶体管的漏极连接，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述第三薄膜晶体管的源极连接；所述第三薄膜晶体管的漏极与输出信号线连接； 所述第二薄膜晶体管的源极与电源连接，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第四薄膜晶体管的源极连接； 所述复位电压线提供的复位电压用于控制所述第一薄膜晶体管导通，使所述第一薄膜晶体管的源极的电压复位为所述参考电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号2幢C区3层C-301、C-302；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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