买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210567503.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管是由罗小蓉;魏雨夕;孙涛;邓思宇;魏杰;杨可萌;鲁娟;彭小松;蒋卓林设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管。在栅源电压为零时，栅源电极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道；随着栅源电压增加，耗尽区逐渐变窄直至在沟道侧壁形成高浓度电子积累层。因此，在正向导通时，本发明能减小导通电阻且增强正向电流能力；正向阻断时，有效降低场效应晶体管的泄漏电流且提高器件的击穿电压，提高阈值电压；正向阻断或正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的导通及耐压特性。在反向续流时，集成二极管导通，具有低的开启电压和低的导通压降。本发明的场效应晶体管和集成二极管工艺兼容，实现单片工艺集成，有利于减少寄生电感和模块体积。

本发明授权一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管，包括漏电极1、位于漏电极1上表面的N型氧化镓漏区2、位于N型氧化镓漏区2上表面的N型氧化镓漂移区3； 其特征在于，所述N型氧化镓漂移区3的上表面沿器件横向方向具有间隔分布的第一鳍状氧化镓漂移区4-1和第二鳍状氧化镓漂移区4-2；所述第一鳍状氧化镓漂移区4-1的上表面具有第一N+高掺杂氧化镓区5-1，所述第二鳍状氧化镓漂移区4-2的上表面具有第二N+高掺杂氧化镓区5-2；所述N型氧化镓漂移区3的上表面以及第一鳍状氧化镓漂移区4-1和第二鳍状氧化镓漂移区4-2的侧壁覆盖有第一绝缘介质6；以第一鳍状氧化镓漂移区4-1和第二鳍状氧化镓漂移区4-2之间的第一绝缘介质6中线延伸线作为分界线将器件元胞定义为晶体管区和二极管区，并且第一鳍状氧化镓漂移区4-1位于晶体管区，第二鳍状氧化镓漂移区4-2位于二极管区，则晶体管区的第一绝缘介质6上表面覆盖有栅电极7；所述栅电极7表面覆盖有第二绝缘介质8，且第二绝缘介质8延伸至与第一N+高掺杂氧化镓区5-1的侧壁接触；所述第二绝缘介质8和第一N+高掺杂氧化镓区5-1的上表面覆盖有源电极9；所述二极管区的第一绝缘介质6上表面覆盖有源电极9，并且二极管区的源电极9完全覆盖第二N+高掺杂氧化镓区5-2，且晶体管区的源电极9与二极管区的源电极9接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。