中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975580B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110210814.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2021-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：栅极结构的侧壁形成有第一侧墙，栅极结构两侧基底内形成有源漏掺杂区，栅极结构和第一侧墙的侧部形成有底部介质层，底部介质层中形成有与源漏掺杂区相接触的源漏互连层，源漏互连层的端部形成有贯穿底部介质层和顶部介质层的源漏插塞，源漏互连层顶部形成有贯穿顶部介质层的间隔开口，暴露出第一侧墙；去除间隔开口暴露出的第一侧墙，形成间隙；在间隔开口中填充刻蚀阻挡层，密封间隙与间隙围成空气隙；形成贯穿栅极结构顶部的顶部介质层的栅极插塞。本发明实施例降低栅极插塞或源漏插塞的材料填入空气隙中的风险，优化半导体结构的性能，还提高形成空气隙与形成栅极插塞和源漏插塞的工艺兼容性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 多个栅极结构，分立于所述基底上； 源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的基底内； 底部介质层，位于所述栅极结构的侧部且覆盖所述源漏掺杂区； 顶部介质层，位于所述底部介质层上且覆盖所述栅极结构的顶部； 源漏互连层，贯穿所述源漏掺杂区顶部的所述底部介质层，且与所述源漏掺杂区相接触，所述源漏互连层与所述栅极结构的侧壁之间具有间隙； 源漏插塞，贯穿所述源漏互连层端部的所述底部介质层和顶部介质层，且与所述源漏掺杂区相接触； 刻蚀阻挡层，贯穿所述源漏互连层顶部的所述顶部介质层，且所述刻蚀阻挡层密封所述间隙，与所述间隙围成空气隙，所述刻蚀阻挡层与所述顶部介质层之间具有刻蚀选择比； 栅极插塞，贯穿所述栅极结构顶部的所述顶部介质层，且与所述栅极结构相接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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