新电元工业株式会社前山雄介获国家专利权
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龙图腾网获悉新电元工业株式会社申请的专利宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114946037B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180008405.8，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法是由前山雄介;中村俊一;大贯仁设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的宽带隙半导体装置，包括：宽间隙半导体层；以及金属层20，设置在所述宽间隙半导体层上，其中，所述金属层20在与所述宽间隙半导体层之间的界面的界面区域处具有单晶层21，在将构成所述金属层20的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层21包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5％～8％。
本发明授权宽带隙半导体装置及宽带隙半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括： 宽间隙半导体层；以及 金属层，设置在所述宽间隙半导体层上， 其中，所述金属层在与所述宽间隙半导体层之间的界面处的界面区域处具有单晶层， 在将构成所述金属层的金属的平衡状态下的晶格常数设为L的情况下，所述界面区域处的所述单晶层包含第一区域，该第一区域的晶格常数L1比L小1.5%~8%， 所述界面区域处的所述单晶层包含第二区域，该第二区域的晶格常数L1比L大， 所述第一区域的数量比所述第二区域的数量多。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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