上海传芯半导体有限公司季明华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海传芯半导体有限公司申请的专利EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114879447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210442579.1，技术领域涉及：G03F1/84；该发明授权EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统是由季明华;任新平;黄早红设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统,能够在不破坏待测EUV光掩模体包括EUV掩模坯体或者具有相应图案的EUV光掩模版的前提下，采用不同入射强度的极紫外激光对待测EUV光掩模体的至少一个待测位置点进行扫描，得到相应的反射率，通过对这些反射率的分析，得到相应的待测位置点的缺陷信息，包括横向上的分布范围以及深层次内的信息。
本发明授权EUV光掩模体的缺陷检测方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种EUV光掩模体的缺陷检测方法，其特征在于，包括： 采用不同入射强度的极紫外激光对待测EUV光掩模体的至少一个待测位置点进行扫描，以获取每个所述入射强度的极紫外激光在所述待测位置点处的反射率，其中，所述待测EUV光掩模体为EUV掩模坯体或者具有相应图案的EUV光掩模版； 将不同入射强度下的无缺陷位置点处的反射率绘制成作为参考基准的反射率-入射强度曲线； 将不同入射强度下的各个所述待测位置点处的反射率绘制成所述待测位置点处的反射率-入射强度曲线； 将各个所述待测位置点处的反射率-入射强度曲线与所述参考基准的反射率-入射强度曲线进行比较，以获得各个所述待测位置点的缺陷信息； 比较同一入射强度下的相邻多个所述待测位置点处的反射率，以确定相应缺陷包括横向分布范围和或垂直厚度变化在内的信息。
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