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龙图腾网获悉上海壁仞智能科技有限公司申请的专利芯片组及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823589B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210356165.7，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权芯片组及其制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片组及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片组及其制造方法。所述芯片组包括第一线路层、多个第一裸晶、多个输入输出裸晶以及顶部逻辑裸晶。多个第一裸晶包括多个第一键合组件。多个输入输出裸晶包括多个第二键合组件。顶部逻辑裸晶包括多个第三键合组件。多个第一裸晶以及多个输入输出裸晶分别通过多个第一键合组件以及多个第二键合组件以接垫对接垫的方式直接接合顶部逻辑裸晶的多个第三键合组件，并且多个第一裸晶以及多个输入输出裸晶分别通过多个第一凸块封装在第一线路层上。因此，本发明的芯片组可实现具有较高运算能力以及较高制造良率的特点。

本发明授权芯片组及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片组，其特征在于，包括： 第一线路层； 多个第一裸晶，包括多个第一键合组件； 多个输入输出裸晶，包括多个第二键合组件；以及 顶部逻辑裸晶，包括多个第三键合组件， 其中所述多个第一裸晶以及所述多个输入输出裸晶分别通过所述多个第一键合组件以及所述多个第二键合组件以接垫对接垫的方式直接接合所述顶部逻辑裸晶的所述多个第三键合组件，并且所述多个第一裸晶以及所述多个输入输出裸晶分别通过多个第一凸块封装在所述第一线路层上； 所述多个第一裸晶各自还包括第一基板层、第一硅通孔和第一有源电路，所述第一硅通孔嵌置于所述第一基板层中，且与所述第一有源电路和所述第一线路层连接，所述第一有源电路设置于所述第一基板层的靠近所述顶部逻辑裸晶的一侧，且与相应第一键合组件连接； 所述多个输入输出裸晶各自还包括第二基板层、第二硅通孔和第二有源电路，所述第二硅通孔嵌置于所述第二基板层中，且与所述第二有源电路和所述第一线路层连接，所述第二有源电路设置于所述第二基板层的靠近所述顶部逻辑裸晶的一侧，且与相应第二键合组件连接； 所述顶部逻辑裸晶还包括第三基板层和第三有源电路，所述第三有源电路位于所述第三基板层的靠近所述多个第一裸晶和所述多个输入输出裸晶的一侧，且与所述多个第三键合组件连接；以及 所述多个第一裸晶和所述多个输入输出裸晶通过所述顶部逻辑裸晶中的线路彼此电性连接，且分别通过多个第一硅通孔和多个第二硅通孔与所述第一线路层连接。

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