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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种改良型高精度R-2R型DAC结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114785348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451247.X，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种改良型高精度R-2R型DAC结构是由张皓然;张涛;任凤霞设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改良型高精度R-2R型DAC结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种改良型高精度R‑2R型DAC结构，属于电子电路领域，包括DAC高位编码、DAC低位编码、电流修调编码和具有可适应输入范围的放大输出级；所述DAC高位编码采用m位的温度计码，所述DAC低位编码采用n位的二进制码，其中所述电流修调编码采用t位的二进制码对二进制码中最低位R值部分修调误差。本发明不但解决位数多后误差偏大的问题，实现超高精度的R‑2R型DAC输出；还加入了电流校准，可以自主控制提高精度，理论上精度可以做到无穷大；后级接可调节输入范围的运放，较为灵活的适配各种应用场景，提高相关应用产品的精度和可靠性。

本发明授权一种改良型高精度R-2R型DAC结构在权利要求书中公布了：1.一种改良型高精度R-2R型DAC结构，其特征在于，包括DAC高位编码、DAC低位编码、电流修调编码和具有可适应输入范围的放大输出级； 所述DAC高位编码采用m位的温度计码，所述DAC低位编码采用n位的二进制码，其中所述电流修调编码采用t位的二进制码对二进制码中最低位R值部分修调误差； 所述电流修调编码包括t+1个mos管M0、M1、...、Mt和t个开关K1~Kt；mos管M0、M1、...、Mt的漏端接VDD，t个mos管M1、...、Mt的源端分别通过开关K1~Kt连接至电阻链的第二端，mos管M1、...、Mt的栅端互连并接至mos管M0的栅端；mos管分得的电流是待复制电流的12；mos管分得的电流是待复制电流的14；以此类推，mos管分得的电流是待复制电流的1t； 所述mos管M0的源端连接mos管N的漏端，mos管N的源端通过一个电阻R接地，mos管N的栅端连接放大器AMP1的输出端，放大器AMP1的正输入端连接参考电压Vref，负输入端连接mos管N的源端。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十八研究所，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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